Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "ECE" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Photocurrent and Photovoltaic of Photodetector based on Porous Silicon
Autorzy:
Hadi, Hasan A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1178373.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
ECE
PC
PDH
Photovoltaic
Porous Silicon
Opis:
We have studied the dependence of photodetector photocurrent on incident power density of light with anodization current and time. The fabrication of Al/PS/p-Si photodetector heterojunction PDH by electrochemical etching method ECE and semi-transparent Al films in thickness range of 80 nm are deposited by thermal evaporation on porous silicon layers to investigate the photocurrent -voltage characteristics of the PDH. When the anodization current varied from 20 to 60 mA, the photocurrent PC was increase according to the anodization parameters at 1.2 mw/cm2 power density. The results also show that the short current Isc and open circuit voltage Voc saturate at high power density. The difference in the value of Voc and Isc at different etching current density is related to the Si nano crystallites layer thickness and the porosity which itself is greatly affected by the etching current density.
Źródło:
World Scientific News; 2017, 77, 2; 314-325
2392-2192
Pojawia się w:
World Scientific News
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An Effect Etching Time on Structure Properties of Nano-Crystalline p-type Silicon
Autorzy:
Hadi, H. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/412165.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
Porous Silicon
Electrochemical Etching
ECE
XRD
AFM
Opis:
This paper reports the influence of the etching time on structural characteristics of porous silicon manufactured by electrochemical etching (ECE) anodization p-type silicon wafers. Micro and nano-structural features of the samples are mainly investigated by XRD and AFM techniques. The morphological properties of PS layer such as nano-crystalline size, the structure aspect of PS layer and lattice constant have been investigated. Nanocrystals size (grain size) computing from XRD data (145 to 85) nm is resulting the increasing etching time.AFM investigations reveal increase in (RMS) roughness, Sz.(Ten Point height) and average diameter of the porous structure with increase in etching time.
Źródło:
International Letters of Chemistry, Physics and Astronomy; 2014, 17, 3; 327-333
2299-3843
Pojawia się w:
International Letters of Chemistry, Physics and Astronomy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies