Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "transistors" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Sub-Terahertz Emission from Field-Effect Transistors
Autorzy:
Yavorskiy, D.
Karpierz, K.
Kopyt, P.
Grynberg, M.
Łusakowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033125.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
Field-effect transistors
THz emission
Opis:
Several commercially available field-effect GaInAs-based transistors were studied as emitters of electromagnetic radiation. The emitters were tested either at room or at liquid helium temperature. To spectrally analyse emitted radiation, we applied three different experimental techniques: a spectrum analyser with antennas and mixers, a Michelson interferometer and a magnetic-field-tunable InSb detector. We show that the emission consists of a fundamental frequency of 11.5 GHz and its multiple harmonics spanning the emission band up to about 400 GHz. Analysis of the results allows us to suggest that the emission is caused by a Gunn effect and a high harmonics content is related to a pulse-like time dependence of the current.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 335-337
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Radiation Degradation of Bipolar Transistor Current Gain
Autorzy:
Miskiewicz, S.
Komarov, A.
Komarov, F.
Zayats, G.
Soroka, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033766.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
radiation
numerical simulation
bipolar transistors
lifetime
minority charge carriers
recombination
current gain
Opis:
Spatial distribution of nonequilibrium minority charge carriers in bipolar transistors before and during the radiation exposure is described. Radiation-induced changes in the input and output characteristics and the current gain under the ⁶⁰Co 1.2 MeV γ -rays were calculated. It was shown that the collector current and current gain steadily fall due to irradiation in the considered range in the dose range 0-7×10⁵ rad. The simulation results correlate well with the experimental data obtained at the Research and Production Corporation "Integral".
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 288-290
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies