Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "da Silva, A. A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    A Simple Localized-Itinerant Model for PrAl$\text{}_{3}$: Crystal Field and Exchange Effects
    Autorzy:
    Von Ranke, P. J.
    Palermo, L.
    Da Silva, X. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1891680.pdf
    Data publikacji:
    1991-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.10.Dg
    75.30.Cr
    Opis:
    We present a simple magnetic model for PrAl$\text{}_{3}$. The effects of crystal field are treated using a reduced set of levels and the corresponding wave functions are extracted from the actual crystal field levels of Pr$\text{}^{+3}$ in a hexagonal symmetry. The exchange between 4f- and conduction-electrons are dealt within a molecular field approximation. An analytical magnetic state equation is derived and the magnetic behaviour discussed. The parameters of the model are estimated from a fitting of the inverse susceptibility of PrAl$\text{}_{3}$ given in the literature.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 4; 583-590
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Combined Analyses of Ion Beam Synthesized Layers in Porous Silicon
    Autorzy:
    Ramos, A. R.
    Pászti, F.
    Horváth, Z. E.
    Vázsonyi, É.
    Conde, O.
    da Silva, M. F.
    da Silva, M. R.
    Soares, J. C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2028988.pdf
    Data publikacji:
    2001-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.10.-i
    61.18.Bn
    61.43.Gt
    68.55.Ln
    Opis:
    High dose ion implantation was used to form polycrystalline silicide films on porous silicon with different native concentrations of light impurities (C and O). Porous silicon layers severalμm thick were implanted with 170 keV Cr$\text{}^{+}$ ions to fluences of 3×10$\text{}^{17}$ ions/cm$\text{}^{2}$ both at room temperature and 450ºC. Similar samples were implanted with 100 keV Co$\text{}^{+}$ ions to fluences of 2×10$\text{}^{17}$ ions/cm$\text{}^{2}$ at room temperature, 350ºC, and 450ºC. The formed silicide compounds were studied by Rutherford backscattering spectrometry, elastic recoil detection, glancing incidence X-ray diffraction, and four point-probe sheet resistance measurements. Selected Co implanted samples were analysed by cross-section transmission electron microscopy. Results show that the light impurities were partially expelled from the forming silicide layer. Combining cross-section transmission electron microscopy with ion beam methods it was possible to show that, in the implanted region, the porous structure collapses and densifies during implantation, but the underlying porous silicon remains intact. The layer structure, as well as the quality and type of the formed silicide, were found to depend on the original impurity level, implantation temperature, and annealing.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 5; 773-780
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies