Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Zhao, F." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Energy Levels and Oscillator Strength of Ni XXIII
Autorzy:
Hu, F.
Jiang, G.
Yang, J.
Zhang, J.
Zhao, X.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1493444.pdf
Data publikacji:
2011-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
31.15.V-
31.30.jc
Opis:
Energy levels and oscillator strengths have been calculated for the fine-structure transitions among the levels of the $(1s^2) 2s^2 2 p^2,$ $2s2 p^3,$ $2p^4,$ $2s^2 2p3s,$ $2s^2 2p3p,$ and $2s^2 2p3d$ configurations of Ni XXIII using the graspVU and FAC program. The extensive configuration interaction and relativistic effects have been included while generating the wave functions. The results are compared with other recent theoretical estimates, and their accuracy is assessed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 3; 429-437
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Improving Triggering Characteristics for a Surface-Flashover Triggered Vacuum Switch
Autorzy:
He, Z.
Wang, L.
Li, F.
Yao, W.
Dong, M.
Zhao, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807889.pdf
Data publikacji:
2009-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
52.80.Vp
52.75.Kq
52.25.Mq
Opis:
A surface-breakdown triggered vacuum switch with parallel disk electrodes and semiconductor surface flashover trigger electrode has many advantages, it is easy to be triggered and machined. The resistance of the trigger gap has been increased in terms of modifying the thickness of the semiconductor layer and improving coating process technology. The trigger gap resistance, trigger voltage and trigger waveforms were experimentally tested. The results show that the triggering characteristics can be improved by increasing the trigger resistance.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 6; 1019-1021
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Flash Lamp Annealing on the Optical Properties of CIGS Layer
Autorzy:
Prucnal, S.
Jiao, F.
Reichel, D.
Zhao, K.
Cornelius, S.
Turek, M.
Pyszniak, K.
Drozdziel, A.
Skorupa, W.
Helm, M.
Zhou, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1199248.pdf
Data publikacji:
2014-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
88.40.jn
61.72.Cc
78.55.Hx
Opis:
Copper indium gallium diselenide (CIGS) becomes more significant for solar cell applications as an alternative to silicon. The quality of the layer has a critical impact on the final efficiency of the solar cell. An influence of the post-deposition millisecond range flash lamp annealing on the optical and microstructural properties of the CIGS films was investigated. Based on the Raman and photoluminescence spectroscopy, it is shown that flash lamp annealing reduces the defect concentration and leads to an increase of the photoluminescence intensity by a factor of six compared to the nonannealed sample. Moreover, after flash lamp annealing the degradation of the photoluminescence is significantly suppressed and the absolute absorption in the wavelength range of 200-1200 nm increases by 25%.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1404-1407
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies