Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Yin, H" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Photoluminescence of Donor-Doped ZnSe Films Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:
Karczewski, G.
Hu, B.
Yin, A.
Luo, H.
Dobrowolska, M.
Furdyna, J. K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1932090.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
78.55.Et
Opis:
We studied the effect of the donor doping of ZnSe films on their photoluminescence properties. The samples were doped during the molecular beam epitaxy growth, either with gallium or with chlorine. As the dopant concentration dose increases, the intensity of the band-edge emission first saturates, and then quenches in favor of the deep-level photoluminescence band. The main effect of donor doping on photoluminescence is a strong increase in intensity of the donor-bound exciton line, referred to as I$\text{}_{2}$. For Ga-doped films deep-band emission is much stronger, and the I$\text{}_{2}$-line is slightly weaker than for Cl-doped films with comparable doping level. The results confirm the superiority of chlorine over gallium as an n-type dopant in ZnSe. We discuss the photoluminescence results and relate them to deep level transient spectroscopy data obtained on the same samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 245-248
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies