Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Witkowski, W." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    The application of laboratory X-ray micro-diffraction to study the effects of clinching process in steel sheets
    Autorzy:
    Krztoń, H.
    Mucha, J.
    Witkowski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1058098.pdf
    Data publikacji:
    2016-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.05.cp
    81.30.Kf
    81.70.Bt
    81.20.Vj
    Opis:
    The application of X-ray micro-diffraction to study the local changes in austenite content in clinching joints made of DP 600 steel is presented. The relations between various parameters of the cold pressing process and the microstructure and the austenite content in the individual parts of the clinching joints are shown.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 4; 985-987
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Studies of the Hydrodynamic Properties of Bose-Einstein Condensate of $\text{}^{87}Rb$ Atoms in a Magnetic Trap
    Autorzy:
    Bylicki, F.
    Zawada, M.
    Gawlik, W.
    Noga, A.
    Zachorowski, J.
    Jastrzębski, W.
    Szczepkowski, J.
    Witkowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813495.pdf
    Data publikacji:
    2008-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    03.75.Hh
    03.75.Kk
    67.85.Bc
    67.85.De
    Opis:
    We report details of the apparatus and the experimental procedure leading to production of the Bose-Einstein condensate of $\text{}^{87}Rb$ atoms. Basic hydrodynamic properties of the condensate, like quadrupole oscillations and free fall expansion, are investigated. They provide also characteristics of the magnetic trap crucial for interpretation of future experiments.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 2; 691-705
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Structure Dependent Conductivity of Ultrathin ZnO Films
    Autorzy:
    Snigurenko, D.
    Kopalko, K.
    Krajewski, T.
    Łuka, G.
    Gierałtowska, S.
    Witkowski, B.
    Godlewski, M.
    Dybko, K.
    Paszkowicz, W.
    Guziewicz, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403646.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ga
    78.66.Hf
    81.15.Gh
    Opis:
    Zinc oxide films dedicated for hybrid organic/inorganic devices have been studied. The films were grown at low temperature (100°C, 130C and 200°C) required for deposition on thermally unstable organic substrates. ZnO layers were obtained in atomic layer deposition processes with very short purging times in order to shift a structure of the films from polycrystalline towards amorphous one. The correlation between atomic layer deposition growth parameters, a structural quality and electrical properties of ZnO films was determined.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1042-1044
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    ZnO by ALD - Advantages of the Material Grown at Low Temperature
    Autorzy:
    Guziewicz, E.
    Godlewski, M.
    Krajewski, T.
    Wachnicki, Ł.
    Łuka, G.
    Paszkowicz, W.
    Domagała, J.
    Przeździecka, E.
    Łusakowska, E.
    Witkowski, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791286.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ga
    78.66.Hf
    72.80.Ey
    Opis:
    The 3D-architecture is a prospective way in miniaturization of electronic devices. However, this approach can be realized only if metal paths are placed not only at the top, but also beneath the electronic parts, which imposes drastic temperature limitations for the electronic device processing. Therefore last years a lot of investigations are focused on materials which can be grown at low temperature with electrical parameters appropriate for electronic applications. Zinc oxide grown by the atomic layer deposition method is one of the materials of choice. We obtained ZnO-ALD films at growth temperature range between 100°C and 200°C, and with controllable electrical parameters. Free carrier concentration was found to scale with deposition temperature, so it is possible to grow ZnO films with desired conductivity without any intentional doping. We used correlation of electrical and optical parameters to optimize the deposition process. Zinc oxide layers obtained in that way have free carrier concentration as low as $10^{16} cm^{-3}$ and high mobility ($10-50 cm^{2}$/(Vs)), which satisfies requirements for a material used in three-dimensional memories.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 814-817
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    ZnCoO Films by Atomic Layer Deposition - Influence of a Growth Temperature οn Uniformity of Cobalt Distribution
    Autorzy:
    Łukasiewicz, M.
    Witkowski, B.
    Godlewski, M.
    Guziewicz, E.
    Sawicki, M.
    Paszkowicz, W.
    Łusakowska, E.
    Jakieła, R.
    Krajewski, T.
    Kowalik, I.
    Kowalski, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791350.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Ln
    68.55.Nq
    78.66.Hf
    81.15.Kk
    Opis:
    We report on the structural, electrical and magnetic properties of ZnCoO thin films grown by atomic layer deposition method using reactive organic precursors of zinc and cobalt. As a zinc precursor we applied either dimethylzinc or diethylzinc and cobalt(II) acetyloacetonate as a cobalt precursor. The use of these precursors allowed us the significant reduction of a growth temperature to 300°C and below, which proved to be very important for the growth of uniform films of ZnCoO. Structural, electrical and magnetic properties of the obtained ZnCoO layers will be discussed based on the results of secondary ion mass spectroscopy, scanning electron microscopy, energy dispersive spectroscopy, X-ray diffraction, atomic force microscopy, Hall effect and SQUID investigations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 921-923
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Capability of Semiconducting NiO Films in Gamma Radiation Dosimetry
    Autorzy:
    Guziewicz, M.
    Jung, W.
    Grochowski, J.
    Borysiewicz, M.
    Golaszewska, K.
    Kruszka, R.
    Baranska, A.
    Piotrowska, A.
    Witkowski, B.
    Domagala, J.
    Gryzinski, M.
    Tyminska, K.
    Stonert, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492706.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Jc
    29.40.-n
    87.53.Bn
    Opis:
    Electrical properties of RF magnetron sputtered p-NiO films were characterized after fabrication and after gamma irradiations using $\text{}^{137}Cs$ and $\text{}^{60}Co$ sources. Electrical parameters are obtained from the Hall measurements, impedance spectroscopy and C-V measurement of n-Si/p-NiO junction diodes. The results show that resistivity of the NiO film is gradually increased following after sequential irradiation processes because of the decrease in holes' concentration. Hole concentration of a NiO film decreases from the original value of $4.36 \times 10^{16} cm^{-3}$ to $2.86 \times 10^{16} cm^{-3}$ after $\text{}^{137}Cs γ$ irradiation with doses of 10 Gy. In the case of γ irradiation from $\text{}^{60}Co$ source, hole concentration of the film decreases from $6.3 \times 10^{16}//cm^3$ to $4.1 \times 10^{16}//cm^3$ and to $2.9 \times 10^{16}//cm^3$ after successive expositions with a dose of 20 Gy.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-069-A-072
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies