Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Wilson, J." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Optically Active Centers in Er-Implanted Silicon
Autorzy:
Przybylińska, H.
Jantsch, W.
Hendorfer, G.
Palmetshofer, L.
Wilson, R. J.
Sealy, B. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933961.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Hx
Opis:
We show that of all the optically active Er centers in silicon found after ion implantation and optimum annealing (900°C) the isolated cubic interstitial Er is the dominant PL center above 100 K. At lower anneal temperatures ( ≈ 600°C) with later rapid thermal anneal at 900°C oxygen related centers also emit.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 877-880
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A Neural Network Model of an Ising Spin Glass
Autorzy:
Wilson, K. F.
Goossens, D. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2013998.pdf
Data publikacji:
2000-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.10.-b
75.10.Nr
84.35.+i
Opis:
The behaviour of an Ising spin glass (S=1/2) with infinite range interactions is modelled using a numerical simulation based on a neural network. Thermodynamic variables are defined on the network, and are found to obey the Thouless-Anderson-Palmer theory when the applied magnetic field is zero. When a magnetic field is applied along the spin direction, complex field-dependent behaviour appears, including a state in which the Edwards-Anderson order parameter is independent of temperature below the critical temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 5; 983-986
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electronic Properties of InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Structures and Devices Studied by Photocurrent Spectroscopy
Autorzy:
Mowbray, D. J.
Fry, P. W.
Skolnick, M. S.
Itskevich, I. E.
Harris, L.
Ashmore, A. D.
Finley, J. J.
Wilson, L. R.
Schumacher, K. L.
Barker, J. A.
O'Reilly, E. P.
Al-Khafaji, M.
Cullis, A. G.
Hopkinson, M.
Clark, J. C.
Hill, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2014190.pdf
Data publikacji:
2000-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
73.61.Ey
73.50.Pz
42.55.Px
Opis:
The power of photocurrent spectroscopy to study the electronic properties of InAs/GaAs self-assembled quantum dots is described. From comparison of results from different samples it is shown that photocurrent provides a direct means to measure absorption spectra of quantum dots. Studies in high electric field enable the electron-hole vertical alignment to be determined. Most surprisingly this is found to be opposite to that predicted by all recent predictions. Comparison with theory shows that this can only be explained if the dots contain significant amounts of gallium, and have a severely truncated shape. The nature of the ground and excited state transitions, carrier escape mechanisms from dots, in-plane wave function anisotropies and the modal gain of a quantum dot laser are determined.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 98, 3; 279-293
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies