Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Szatkowski, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Deep Level Transient Spectroscopy Studies of CdMnTe
Autorzy:
Szatkowski, J.
Płaczek-Popko, E.
Hajdusianek, A.
Kuźmiński, S.
Bieg, B.
Becla, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1873000.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.30.+y
Opis:
Deep levels in Ga doped n-type CdMnTe of 1% and 5% Mn contents and In doped n-type CdMnTe of 20% Mn content were studied using deep level transient spectroscopy technique. Our deep level transient spectroscopy results show presence of several groups of different traps.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 387-390
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Positron Annihilation Characteristics in Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se Mixed Crystals
Autorzy:
Firszt, F.
Szatkowski, J.
Męczyńska, H.
Łęgowski, S.
Saarinen, K.
Hautojarvi, P.
Plazaola, A.
Reniewicz, H.
Dobrzyński, L.
Chabik, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969067.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.70.Bj
78.55.Et
81.40.Ef
Opis:
Positron annihilation characteristics as a function of composition and annealing in zinc vapour were measured and compared with photoluminescence spectra for Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se mixed crystals with 0 ≤ x ≤ 0.6. The positron annihilation data show that there is a substantial number of divacancies present in the system under study. The concentration of such defects is reduced at least by the factor of two upon annealing in zinc vapour.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 300-304
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of Electronic Structure of Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$ Mixed Crystals by Compton Spectroscopy Method
Autorzy:
Reniewicz, H.
Andrejczuk, A.
Dobrzyński, L.
Rećko, K.
Waliszewski, J.
Żukowski, E.
Firszt, F.
Łęgowski, S.
Męczyńska, H.
Szatkowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952072.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.-b
71.45.-d
61.80.Ed
71.55.Gs
Opis:
The first experimental study of the Compton profiles of Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se for x=0.25, 0.47, 0.56 mixed crystals is presented. The Compton profiles were measured with the use of the $\text{}^{241}$Am radioactive source with a resolution of 0.57 a.u. The experimentally obtained Compton profiles were compared with the theoretical ones based on the free-atom model. The results are interpreted in terms of outermost electrons of Zn and Mg being promoted to the higher momentum states, and 4p-electrons of Se becoming more delocalised in a solid, being thus promoted to the lower momentum states.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 907-910
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Deep Levels Induced by CdTe/ZnTe Quantum Dots
Autorzy:
Zielony, E.
Placzek-Popko, E.
Roznicka, A.
Gumienny, Z.
Szatkowski, J.
Dyba, P.
Pacuski, W.
Kruse, C.
Hommel, D.
Guziewicz, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048061.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ga
73.21.La
73.20.Hb
Opis:
The electrical properties of the CdTe/ZnTe quantum dot system have been analyzed to identify deep-level defects related with the presence of quantum dots. The capacitance-voltage (C-V) and deep level transient spectroscopy measurements were used to investigate the samples. A reference ZnTe sample (without dots) was also studied for comparison. Both samples were grown by molecular beam epitaxy technique on the n-type GaAs substrate. The quantum dots were formed by a Zn-induced reorganization of a thin CdTe layer. The presence of quantum dot formation was confirmed by micro-photoluminescence measurements. The deep level transient spectra for both samples are complex. In order to characterize individual contributions to the deep level transient spectra the latter have been simulated by separated Gaussian components [1]. The results of the deep level transient spectroscopy measurements yield the conclusion that the same defects are present in both materials but there is an increased concentration of the defects in the quantum dot structures. No deep level associated directly with the quantum dot confinement has been identified.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 630-632
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies