Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Rutkowski, K. P." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Calculations of Dark Current in Interband Cascade Type-II Infrared InAs/GaSb Superlattice Detector
Autorzy:
Hackiewicz, K.
Martyniuk, P.
Rutkowski, J.
Kowalewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1032582.pdf
Data publikacji:
2017-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Mn
73.61.Ey
78.30.Fs
85.60.Bt
85.60.Gz
Opis:
In this paper we investigate interband cascade type-II mid-wavelength infrared InAs/GaSb superlattice detector in temperature range from 200 K to 300 K. The paper is based on the theoretical calculation of dark current treated as a sum of two components: average bulk current and average leakage current, flowing through the device. The average leakage current results from a comparison of theoretically calculated bulk current and measured one. We show that it is possible to fit theoretical model to experimental data, assuming that transport in absorber is determined by the dynamics of the intrinsic carriers. Based on the fit we estimated carrier lifetime greater than 100 ns in temperature range 200-300 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 4; 1415-1419
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of TDMAAs Acceptor Precursor on Performance Improvement of HgCdTe Photodiodes
Autorzy:
Madejczyk, P.
Gawron, W.
Piotrowski, A.
Kłos, K.
Rutkowski, J.
Rogalski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1506804.pdf
Data publikacji:
2010-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.79.Pw
07.57.Kp
73.21.Cd
78.67.Pt
79.60.Jv
Opis:
One of the key factor which determine HgCdTe photodiode quality is acceptor doping efficiency. This paper presents significant progress made over the past three years in development of acceptor doping technology in metalorganic chemical vapour deposition HgCdTe photovoltaic detectors. High acceptor doping is required for $P^{+}$-contact layers, whereas low doping is necessary for p-type absorbing base layer. Previously, $AsH_3$ precursor was used as an acceptor dopant. This precursor is partially incorporated as electrically neutral As-H pairs, which are likely to be recombination centres in HgCdTe and in consequence influence on the carriers lifetime lowering. Substituting of $AsH_3$ by TDMAAs resulted in higher carrier lifetimes and thereby about one order of magnitude higher $R_0A$ product of HgCdTe photodiodes in temperatures close to 230 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 6; 1199-1204
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies