Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ratajczak, T." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Magnetic Properties of Iron-Based Amorphous and Nanocrystalline Fe-Zr-X-B (X: Cu, Al) Alloy Films
Autorzy:
Gościańska, I.
Toliński, T.
Ratajczak, H.
Sovák, P.
Dlugoš, R.
Konč, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2013068.pdf
Data publikacji:
2000-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Tm
75.50.Bb
Opis:
Thermal stability and magnetic properties of thin films, of a few Fe-based amorphous and nanocrystalline alloys, have been studied. The alloys belong to the class Fe-M-B, whose representatives are: Fe$\text{}_{87}$Zr$\text{}_{4}$Cu$\text{}_{1}$B$\text{}_{8}$, Fe$\text{}_{87}$Zr$\text{}_{7}$B$\text{}_{6}$, and Fe$\text{}_{87}$Zr$\text{}_{7}$Al$\text{}_{1}$B$\text{}_{5}$ and are of particular interest because of their wide variety of magnetic properties. The films were prepared by flash evaporation onto liquid nitrogen cooled substrates. Measurements of the Kerr effect, the Hall effect, and ferromagnetic resonance in the films were carried out as functions of the annealing temperature. It was found that the changes in the coercive field H$\text{}_{c}$, resonance linewidth ΔH$\text{}_{pp}$, effective magnetization M$\text{}_{eff}$, Hall parameters, and resistance were correlated with the structural changes in the studied films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 3; 463-466
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
RBS/Channeling Analysis of Zinc Oxide Films Grown at Low Temperature by Atomic Layer Deposition
Autorzy:
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Guziewicz, E.
Gierałtowska, S.
Krajewski, T.
Luka, G.
Wachnicki, L.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400467.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
77.55.hf
81.05.Dz
81.15.Hi
68.55.ag
82.80.Yc
61.85.+p
Opis:
The results of the Rutherford backscattering/channeling study of ZnO layers are presented. ZnO layers were deposited on the silicon single crystals and GaN epitaxial layers at low temperature by atomic layer deposition. Deposition temperature varied between 100 and 300°C. A random spectra analysis was performed to determine layer thickness and composition. In turn, analysis of the aligned spectra allows us to study evolution of ingrown defects. The Rutherford backscattering study supports the results of X-ray photoelectron spectroscopy measurements, performed separately, that the ZnO-ALD layers deposited at low temperature contain a higher oxygen content. Composition measurements, performed as a function of growth temperature, show that oxygen content decreases with the increasing temperature of the atomic layer deposition growth process.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 899-903
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies