Autor: Piotrowska, I. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Direct Measurements of Arsenic and Phosphorus Evolution During Cap-Annealing of Gold-Based Metallizations on GaAs and InP
Autorzy:: Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Guziewicz, M.
Veresegyhazy, R.
Mojzes, I.
Pecz, B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1891383.pdf
Data publikacji:: 1991-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Ns
Opis:: Evolution of arsenic and phosphorus during heat treatment of unprotected and encapsulated Au, AuZn and AuGeNi contacts on GaAs and InP has been examined and correlated with their ohmic behavior.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 457-460
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Ti-Al-N MAX Phase a Candidate for Ohmic Contacts to n-GaN
Autorzy:: Borysiewicz, M.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Pasternak, I.
Jakieła, R.
Dynowska, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1811915.pdf
Data publikacji:: 2008-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.05.cp
68.49.Sf
68.55.ag
81.40.Ef
Opis:: Fabrication of a Ti₂AlN MAX phase for contact applications to GaN-based devices is reported. Sample characterisation was done by means of X-ray diffraction and secondary ion mass spectroscopy. Successful Ti₂AlN monocrystalline growth was observed on GaN and Al₂O₃ substrates by annealing sputter-deposited Ti, Al and TiN layers in Ar flow at 600°C. The phase was not seen to grow when the layers were deposited on Si (111) or when the first layer on the substrate was TiN. N-type GaN samples with Ti₂AlN layers showed ohmic behaviour with contact resistivities in the range 10¯⁴ Ωcm².
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1061-1066
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: ZnO Thin Films Deposited on Sapphire by High Vacuum High Temperature Sputtering
Autorzy:: Borysiewicz, M. A.
Pasternak, I.
Dynowska, E.
Jakieła, R.
Kolkovski, V.
Dużyńska, A.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2048109.pdf
Data publikacji:: 2011-05
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.05.Dz
81.15.Cd
61.05.cp
68.37.Hk
68.37.Ps
68.49.Sf
78.55.Et
Opis:: ZnO (0001) layers on sapphire (0001) substrates were fabricated by means of high temperature high vacuum magnetron sputtering. The layers were deposited onto a thin MgO buffer and a low temperature ZnO nucleation layer, which is a technology commonly used in MBE ZnO growth. This paper reports on using this technology in the sputtering regime.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 686-688
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Planar Optical Waveguides Based on Thin ZnO Layers
Autorzy:: Struk, P.
Pustelny, T.
Gut, K.
Gołaszewska, K.
Kamińska, E.
Ekielski, M.
Pasternak, I.
Łusakowska, E.
Piotrowska, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1807757.pdf
Data publikacji:: 2009-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 42.25.Hz
42.25.-p
42.70.-a
42.82.-m
42.82.Et
68.35.Ct
Opis:: The paper quotes the results of investigations concerning planar optical waveguides with a high value of the refractive index, achieved basing on a broad-band gap semiconductor ZnO, deposited on glass or quartz substrates. The investigations were focused on the properties of the waveguides, determining the modal characteristics, the attenuation coefficient and the structure of the surface.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 3; 414-418
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Electronic Properties of Thin HfO$\text{}_{2}$ Films Fabricated by Atomic Layer Deposition on 4H-SiC
Autorzy:: Taube, A.
Gierałtowska, S.
Gutt, T.
Małachowski, T.
Pasternak, I.
Wojciechowski, T.
Rzodkiewicz, W.
Sawicki, M.
Piotrowska, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2048120.pdf
Data publikacji:: 2011-05
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 77.55.dj
77.22.Jp
73.40.Qv
81.15.Gh
Opis:: Applicability of thin HfO$\text{}_{2}$ films as gate dielectric for SiC MOSFET transistor is reported. Layers characterisation was done by means of atomic force microscopy and scanning electron microscopy, spectroscopic ellipsometry and C-V and I-V measurements of MIS structures. High permittivity dielectric layers were deposited using atomic layer deposition. Investigation showed high value of κ = 15 and existence of high density surface states (5 × 10$\text{}^{12}$ eV$\text{}^{-1}$ cm$\text{}^{-2}$) on HfO$\text{}_{2}$/SiC interface. High leakage current is caused probably due to low conduction band offset between hafnium oxide and silicon carbide.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 696-698
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Planar Optical Waveguides for Application in Optoelectronic Gas Sensors
Autorzy:: Golaszewska, K.
Kamińska, E.
Pustelny, T.
Struk, P.
Piotrowski, T.
Piotrowska, A.
Ekielski, M.
Kruszka, R.
Wzorek, M.
Borysiewicz, M.
Pasternak, I.
Gut, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1811559.pdf
Data publikacji:: 2008-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 42.82.Et
07.07.Df
42.79.Pw
81.15.-z
Opis:: In the paper, the results of technological investigations on planar optical waveguides based on high band gap oxide semiconductors were presented. Investigations concerned the technologies of depositing very thin layers of: zinc oxide ZnO, titanium dioxide $TiO_2$ and tin dioxide $SnO_2$ on substrates of quartz glass plates. There were investigated both morphological structures of the produced layers and their optical properties. The paper also presents investigations on the technology of input-output light systems in the Bragg grating structures.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 6A; A-223-A-230
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja