Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Panek, P." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Effects of 60 MeV Protons and 250 kV X-Rays on Cell Viability
Autorzy:
Miszczyk, J.
Panek, A.
Rawojć, K.
Swakoń, J.
Prasanna, P.
Rydygier, M.
Gałaś, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398817.pdf
Data publikacji:
2016-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
87.50.-a
87.53.-j
87.53.Bn
Opis:
Particle radiotherapy such as the one using proton beams, provides a successful treatment approach in many cancer types. However, the cellular and molecular mechanisms by which proton irradiation induces cell death, particularly in a human peripheral blood lymphocyte model has not been examined in detail. Comparative studies of the biological effects, such as cell death, of particle therapy versus conventional X-rays treatment are of utmost importance. Here, we compared the viability of human peripheral blood lymphocyte following in vitro irradiation with protons (therapeutic 60 MeV proton beam) and photon beam (250 kV, X-rays), by applying separate doses within the range of 0.3-4.0 Gy. Cell viability was assessed 1 and 4 h after irradiation with protons and X-rays by the FITC-Annexin V labelling procedure (Apoptotic & Necrotic & Healthy Cells Quantification Kit, Biotium). Results showed that irradiation with both radiation types reduced the number of viable cells in a dose-dependent manner, as assessed as a function of the duration of post-irradiation time. Protons proved more fatal to the cells treated than X-ray photons. This demonstrates a difference in cell viability after irradiation with protons and photons in a human peripheral blood lymphocyte model.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 2; 222-225
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Interface and Surface Subsignals in Photoreflectance Spectra for GaAs/SI-GaAs Structures
Autorzy:
Jezierski, K.
Sitarek, P.
Misiewicz, J.
Panek, M.
Ściana, B.
Korbutowicz, R.
Tłaczała, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933782.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
71.35.+z
Opis:
Photoreflectance spectra were measured at room temperature for energies in the vicinity of the E$\text{}_{0}$ critical point for p-type as well as n-type doped GaAs/SI-GaAs structures. Depending on the doping concentration the existence of two photoreflectance subsignals was observed; the first one arises from the surface space charge region while the second one from the interface region. The decomposition of photoreflectance spectrum into surface and interface subsignals was based on the photoreflectance measurements carried out for different wavelengths of the laser pump beam.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 751-754
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies