Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kundrotas, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Enhancement and Narrowing of Excitonic Lines in AlInN/GaN Heterostructures
    Autorzy:
    Kundrotas, J.
    Čerškus, A.
    Liberis, J.
    Matulionis, A.
    Leach, J.
    Morkoç, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1505526.pdf
    Data publikacji:
    2011-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.-m
    78.66.-w
    71.55.Eq
    71.35.-y
    Opis:
    A study of the photoluminescence properties of AlInN/GaN in comparison with the spectrum of the GaN active layer of the same heterostructure is presented. The strong intensity lines of the observed photoluminescence spectra are associated with the formation, enhancement and narrowing of the excitonic lines in the flat band region of the active GaN layer. The phenomena in the presence of electric field near the heterostructure interface with the two-dimensional electron system are associated with nonlinear behaviour of recombination processes.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 173-176
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Peculiarities of Excitonic Photoluminescence in Si δ-Doped GaAs Structures
    Autorzy:
    Nargelienė, V.
    Ašmontas, S.
    Čerškus, A.
    Gradauskas, J.
    Kundrotas, J.
    Sužiedėlis, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1505529.pdf
    Data publikacji:
    2011-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.-m
    71.35.-y
    68.65.-k
    Opis:
    We present investigation of photoluminescence properties of Si δ-doped GaAs structures at different temperatures and various laser excitation intensities. Strong excitonic emission was observed in the δ-doped structures. The photoluminescence in the infrared region, below excitonic emission, originates from a non-phonon free electron-acceptor e-A transitions and longitudinal optical phonon sidebands of e-A transitions. Possible mechanisms for recombination of photocarriers are discussed, with a particular focus on an enhanced excitonic photoluminescence emission in comparison with that from intrinsic GaAs layers of the same structures.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 177-179
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Radiative Recombination Spectra of Heavily p-Type δ-Doped GaAs/AlAs MQWs
    Autorzy:
    Kundrotas, J.
    Čerškus, A.
    Valušis, G.
    Lachab, M.
    Khanna, S.
    Harrison, P.
    Linfield, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813382.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.-m
    78.67.De
    71.30.+h
    Opis:
    We present a study of the photoluminescence properties of heavily Be δ-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells measured at room and liquid nitrogen temperatures. Possible mechanisms for photocarriers recombination are discussed, with a particular focus on the peculiarities of the excitonic and free carriers-acceptors photoluminescence emissions occurring below and above the Mott metal-insulator transition. Moreover, based on a simple theoretical model, it is found that the critical impurities concentration to observe the Mott transition in the multiple quantum wells samples exhibiting 15 nm wells width and 5 nm thick barrier layers is ≈3×$10^{12} cm^{-2}$.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 963-966
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Experimental Study of Optical Transitions in Be-Doped GaAs/AlAs Multiple Quantum Wells
    Autorzy:
    Kundrotas, J.
    Čerškus, A.
    Ašmontas, S.
    Valušis, G.
    Sherliker, B.
    Halsall, M.
    Harrison, P.
    Steer, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1178273.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.35.-y
    78.55.-m
    Opis:
    We present a photoluminescence study of optical transitions in Be acceptor-doped GaAs/AlAs multiple quantum wells at room and liquid nitrogen temperatures. We investigate excitonic spectra and reveal acceptor-impurity induced effects in multiple quantum wells having different width.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 245-249
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High Power Microwave Detection in Asymmetrically Shaped n-Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As Structures
    Autorzy:
    Ašmontas, S.
    Čerškus, A.
    Gradauskas, J.
    Kundrotas, J.
    Lučun, A.
    Petkun, V.
    Sužiedėlis, A.
    Šilėnas, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041762.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    07.57.Kp
    84.40.-x
    72.20.Ht
    Opis:
    Investigations of detection of high power microwaves in planar asymmetrically shaped microwave diodes on the basis of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As ternary semiconductors with various AlAs mole fraction are presented. The principle of operation of the microwave diodes is based on carrier heating phenomena in asymmetrically shaped homogeneous semiconductor structure due to different distribution of the electric field strength along the sample. Experimental results of microwave detection on the barrier-less asymmetrically shaped diodes are presented paying special attention to the homogeneity of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As which was monitored by photoluminescence technique.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 315-318
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Enhancement of the Excitonic Photoluminescence in $n^{+}$/i-GaAs by Controlling the Thickness and Impurity Concentration of the $n^{+}$ Layer
    Autorzy:
    Čerškus, A.
    Nargelienė, V.
    Kundrotas, J.
    Sužiedėlis, A.
    Ašmontas, S.
    Gradauskas, J.
    Johannessen, A.
    Johannessen, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1505489.pdf
    Data publikacji:
    2011-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.-m
    71.35.-y
    71.55.Eq
    Opis:
    This communication presents the photoluminescence spectra of molecular beam epitaxially grown GaAs structures made from a 500 nm thick layer of intrinsic conductivity capped with a silicon doped layer with a film thickness ranging from 10 to 100 nm. Two different doping concentrations of the cap layer, $N_{Si} = 10^{17} cm^{-3}$ and $N_{Si} = 10^{18} cm^{-3}$, was considered. The results showed the excitonic line of i-GaAs layer enhancement. The intensity of excitonic line was about 160 times higher for the homojunction compared to the intrinsic conductivity epitaxial layer at liquid helium temperature. Possible mechanisms of the observed intensity enhancement in the $n^{+}$/i-GaAs homojunction are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 154-157
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mesoscopic Structures for Microwave-THz Detection
    Autorzy:
    Sužied.elis, A.
    Ašmontas, S.
    Požela, J.
    Kundrotas, J.
    Širmulis, E.
    Gradauskas, J.
    Kozič, A.
    Kazlauskaité, V.
    Anbinderis, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813189.pdf
    Data publikacji:
    2008-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.21.Fg
    73.40.Kp
    73.50.Lw
    73.63.Kv
    Opis:
    Properties of microwave detectors of various design on the base of MBE grown GaAs and AlGaAs structures are discussed in this paper: simple asymmetrically shaped structures with heavily doped GaAs and AlGaAs layers of nanometric thickness as well as diodes with two-dimensional electron gas layers. Novel models of the detectors with partially gated two-dimensional electron gas layer as well as with small area GaAs/AlGaAs heterojuction are discussed to demonstrate different ways to increase the voltage sensitivity of the detectors of electromagnetic radiation in GHz-THz frequency range.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 3; 803-809
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies