Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Dobrowolski, J. C." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Pressure Study of Charged Donor Ordering in HgSe Doped with Iron and Gallium
Autorzy:
Skierbiszewski, C.
Suski, T.
Kossut, J.
Wilamowski, Z.
Dobrowolski, W.
Witkowska, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891020.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.10.Fk
72.20.Fr
72.80.Jc
Opis:
Transport experiments (Hall effect and conductivity) under hydrostatic pressure up to 1 GPa at liquid helium temperatures on HgSe: Fe, Ga (N$\text{}_{Fe}$ = 2 x 10$\text{}^{19}$ cm$\text{}^{-3}$; 0 ≤ N$\text{}_{Ga}$ ≤ 10$\text{}^{19}$ cm$\text{}^{-3}$) were performed. The results show that the gallium co-doping of HgSe:Fe decreases the degree of spatial correlations between charged impurities. Under the hydrostatic pressure, used as a tool for changing the ratio of the charged to neutral impurities, this effect is even more pronounced. A qualitative agreement between the calculation within the short-range correlation model and our experimental data is achieved.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 401-404
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
$Zn_{1-x}(Mn,Co)_xGeAs_2$ Ferromagnetic Semiconductor: Magnetic and Transport Properties
Autorzy:
Kilanski, L.
Gorska, M.
Domukhovski, V.
Dobrowolski, W.
Anderson, J.
Rotundu, C.
Varniavskii, S.
Marenkin, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811937.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Fr
72.80.Ga
75.50.Pp
75.40.Cx
Opis:
We present the studies of magnetic and transport properties of the bulk $Zn_{1-x}(Mn, Co)_xGeAs_2$ mixed crystals with 0.052 ≤ x ≤0.182 grown using direct fusion method. Magnetic investigations showed that for samples with x ≥ 0.078 we observed a behavior typical of ferromagnets, with the Curie temperatures $T_C$ ≥ 300 K. The observed ferromagnetism was probably connected with the spinodal decomposition of the Mn ions in the alloy. The transport studies including resistivity and Hall effect (at B=1.4 T) were performed. The samples showed p-type conductivity with semiconducting or metallic character, depending on the alloy composition. The Hall carrier concentration, p ≥ $10^{18} cm^{-3}$, was composition dependent.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1151-1157
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetic Anisotropy in Eus-pbs Multilayers
Autorzy:
Story, T.
Swüste, C. H. W.
Swagten, H. J. M.
de Jonge, W. J. M.
Stachow-Wójcik, A.
Twardowski, A.
Arciszewska, M.
Dobrowolski, W.
Gałązka, R. R.
Sipatov, A. Yu.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2013042.pdf
Data publikacji:
2000-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
75.70.Ak
Opis:
We present the results of ferromagnetic resonance studies of the thickness dependence of magnetic anisotropy in 2 series of EuS-PbS multilayers grown on (111) BaF$\text{}_{2}$ and (100) KCl substrates with the EuS thickness varying in the range d=6-70 Å. The anisotropy constant K was found to follow the dependence K(d)=K$\text{}_{V}$+2K$\text{}_{S}$/d , with the surface term K$\text{}_{S}$ larger for layers grown on BaF$\text{}_{2}$ as compared to KCl. This difference is discussed in terms of different thermal stress-induced distortions of cubic crystal lattice of EuS. We found that the thickness of EuS layer required for the perpendicular (to the layer) magnetization is d ≤ 2-3 Å, i.e., it is below 1 monolayer.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 3; 435-438
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies