Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Buda, K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Mobile NMR for Analysis of Polyethylene Pipes
Autorzy:
Blümich, B.
Casanova, F.
Buda, A.
Kremer, K.
Wegener, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043383.pdf
Data publikacji:
2005-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Lg
82.35.Lr
76.60.-k
Opis:
NMR relaxometry is a suitable tool to determine the morphology of semi-crystalline polymers by its ability to discriminate between rigid, mostly crystalline and soft, usually amorphous material. The NMR-MOUSE$\text{}^{®}$ (nuclear magnetic resonance mobile universal surface explorer) was explored in this work to supply morphological data of poly(ethylene) pipes nondestructively. PE-100 pipes were investigated in the new state, after squeezing them flat, and after annealing well below the glass temperature. Furthermore, the change in morphology induced by a pressure load from the inside and a point load from the outside was investigated as a function of depth, and the morphology change across a welding line was imaged. A shear-band was detected by destructive high-field NMR imaging in an area of severe deformation of a pipe, where an anomalous depths profile was observed by the NMR-MOUSE. These results demonstrate that the NMR-MOUSE is a suitable tool for non-destructive state assessment of polymer pipes on the basis of laboratory reference data.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 1; 13-23
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Initial Roughness and Relaxation behaviour of MBE Grown ZnSe/GaAs
Autorzy:
Buda, B.
Leifeld, O.
Völlmeke, S.
Schmilgus, F.
As, D. J.
Schikora, D.
Lischka, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952466.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
Opis:
We investigated the GaAs/ZnSe interface and the influence of the Ga$\text{}_{2}$Se$\text{}_{3}$ formation at the GaAs/ZnSe interface on the relaxation of the ZnSe epilayer using reflection high-energy electron diffraction, atomic force microscope, photoluminescence, and X-ray diffraction techniques. An improvement of the surface roughness due to the cleaning of the GaAs substrate with hydrogen excited in a plasma source and a higher critical thickness of GaAs(001)/ZnSe due to the suppression of Ga$\text{}_{2}$Se$\text{}_{3}$ at the surface was observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 997-1001
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies