Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "voltage sensor" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Novel Method of Offset Voltage Minimization in Hall-Effect Sensor
Autorzy:
Petruk, O.
Kachniarz, M.
Szewczyk, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1032752.pdf
Data publikacji:
2017-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.55.Ge
85.75.Ss
85.30.Fg
02.70.Dh
Opis:
The paper presents numerical model and validation of new methodology of offset voltage minimization in the Hall-effect sensors. Model of the Hall-effect sensor with multiple electric pins was developed. Mathematical equations used for calculation of electric potential difference were formulated. Simulations were carried out using finite elements method in ELMER FEM software. Performed investigation of actual parameters of newly designed Hall-effect sensor confirms effectiveness of the described method.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 131, 4; 1177-1179
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetic Field Sensor Based on Magnetic Tunnel Junction with Voltage-Tunable Magnetic Anisotropy
Autorzy:
Skowroński, W.
Wiśniowski, P.
Wrona, J.
Żywczak, A.
Stobiecki, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1386807.pdf
Data publikacji:
2015-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.75.-d
85.75.Ss
85.35.-p
Opis:
We present a submicron magnetic field sensor with voltage-tunable magnetic field sensitivity. The device, based on magnetic tunnel junction, exhibits high tunnelling magnetoresistance ratio of up to 90%. Perpendicular magnetic anisotropy of thin ferromagnetic sensing layer in combination with an in-plane magnetized reference layer is used to obtain linear change in the sensor resistance in response to the in-plane magnetic field. The perpendicular anisotropy is further controlled by the bias voltage and, thus, the sensitivity of the sensor is changed. In addition, we evaluate the sensor selectivity for the magnetic field direction and present an influence of the temperature on the anisotropy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 2; 496-498
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies