Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "RUO" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Multiband d-p Model for the Description of Sr₂RuO₄
Autorzy:
Rościszewski, K.
Oleś, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1385178.pdf
Data publikacji:
2015-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.25.Dk
75.47.Lx
71.70.Ej
Opis:
We study electronic structure of multiband d-p model describing RuO₄ layer such as realized in Sr₂RuO₄. The model takes into account nearest-neighbor anisotropic ruthenium-oxygen and oxygen-oxygen hoppings, intra-atomic Coulomb interaction, Hund's exchange and in addition spin-orbit coupling on ruthenium. The RuO₄ is universally considered as a pure $t_{2g}$ system (with $e_{g}$ orbitals empty) due to sizable gap between $t_{2g}$ and $e_{g}$ levels. We show that ruthenium $e_{g}$ orbitals are in fact occupied, similarly like showed earlier for CoO₂ layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 2; 260-262
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Van Hove Singularity and Superconductivity in Disordered Sr$\text{}_{2}$RuO$\text{}_{4}$
Autorzy:
Litak, G.
Annett, J. F.
Györffy, B. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2012935.pdf
Data publikacji:
2000-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.62.Dh
74.25.Dw
74.25.Fy
Opis:
On the basis of a simple model we analyse the influence of disorder on critical temperature T$\text{}_{c}$ in p-wave superconductors. The disorder is treated by means of the coherent potential approximation and we focus our attention on the effect of a van Hove singularity near Fermi energy E$\text{}_{F}$. For the appropriate values of its parameters our model reproduces the experimentally found behaviour of Sr$\text{}_{2}$ RuO$\text{}_{4}$.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 1; 249-252
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Microstructural Analysis and Transport Properties of $RuO_2$-Based Thick Film Resistors
Autorzy:
Gabáni, S.
Flachbart, K.
Pavlík, V.
Pietriková, A.
Gabániová, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813961.pdf
Data publikacji:
2008-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.40.Xx
72.80.-r
73.40.Rw
Opis:
$RuO_2$-based low temperature sensors appear as very good secondary thermometers, mainly in the temperature range below 4.2 K. This is due to their high temperature sensitivity and small magnetoresistance. Both properties are strongly influenced by the manufacturing process (mainly by firing temperature and firing time). In our contribution we show that the microstructure of sensors and the temperature dependence of their resistance R(T) down to 50 mK, in case when all sensors are prepared from the same paste, can be strongly influenced by change of the firing temperature from 800°C to 900°C. The paper also presents results on the X-ray microanalysis and the analysis of electrical conductivity of these sensors.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 1; 625-628
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies