Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Lu, Y. H." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Aluminum-Doped Zinc Oxide Thin Films Prepared by Sol-Gel and~RF Magnetron Sputtering
Autorzy:
Wu, G.
Chen, Y.
Lu, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504062.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Cd
82.70.Gg
77.55.hf
Opis:
Zinc oxide (ZnO) thin films have become technologically important materials due to their wide range of electrical and optical properties. The characteristics can be further adjusted by adequate doping processes. In this paper, aluminum-doped zinc oxide thin films have been prepared on glass substrates using a sol-gel route and the radio-frequency magnetron sputtering process. The stoichiometry could be easily adjusted by controlling the nanosized precursor concentration and the thickness by dip-coating cycles. On the other hand, the mixed $N_2O//Ar$ plasma gas provided adequate N doping for the RF sputtering process. The results showed the low electrical resistivity of 21.5 Ω cm with the carrier concentration of - 3.21 × $10^{18} cm^{-3}$ for the n-type aluminium-doped zinc oxide film. They were 34.2 Ω cm and + 9.68 × $10^{16} cm^{-3}$ for the p-type aluminium-doped zinc oxide film. The optical transmittance has been as high as 85-90% in the 400-900 nm wavelength range. The aluminium-doped zinc oxide (2 at.% Al) films exhibited the hexagonal wurzite structure with (002) preferred crystal orientation. The electrical characteristics were depicted by the gradual increase in N and NO that occupy the oxygen vacancies.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 149-152
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical and Scintillation Properties of $Bi_{4}(Ge_{x}S_{1-x})_{3}O_{12}$ Single Crystal
Autorzy:
Xiao, X.
Xu, J.
Lu, B.
Cai, W.
Zhang, Y.
Shen, H.
Yang, B.
Xiang, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399369.pdf
Data publikacji:
2015-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.Fq
61.05.C-
78.20.Ci
78.70.Ps
Opis:
The solid solution crystals, $Bi_{4}(Ge_{x}Si_{1-x})_{3}O_{12}$ (BGSO) with x=0, 0.05, and 0.15, have been grown by the modified vertical Bridgman method. The as-grown crystals show 80% of transmittance with an absorption edge of 285 nm. The relative light yields of BGSO crystals are found to be 7.2%, 6.3%, and 4.2% of CsI(Tl) crystal for x=0, 0.05, and 0.15, respectively. The energy resolutions of these crystals are 18.9%, 21.3%, and 24.7%, respectively, with PMT for 662 keV gamma rays at room temperature when exposed to $\text{}^{137}Cs$ γ -ray. The scintillation performance of BGSO crystals clearly deteriorates with the increase of Ge content. However, the appropriate number of germanium ions doped to BSO crystal can improve its crystallization behavior and effectively restrain component segregation. It is expected that large size crystals of BGSO will be grown and applied to the dual readout calorimeter in the nearest future.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 3; 854-858
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies