Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Lorenz, J" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Measuring and Explaining Income Inequalities in Poland: an Estimation of Lorenz Curves using Hazard Function Approach
Autorzy:
Landmesser, J.
Orłowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1029578.pdf
Data publikacji:
2018-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
income inequalities
hazard function
Lorenz curve
Opis:
In this study we compare the income distributions for men and women in Poland in 2014. To examine the differences in the entire range of income values we utilize the hazard function approach. A flexible hazard-function based estimator in the presence of covariates (education, age, etc.) is used to construct conditional density and cumulative distribution functions. Then, we decompose the differences between two distributions using the counterfactual distribution. We estimate also the Lorenz curves for incomes and decompose the differences between the values of the Gini coefficients.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2018, 133, 6; 1445-1449
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dopants in Semiconductors Studied by Perturbed Angular Correlation
Autorzy:
Bartels, J.
Lorenz, K.
Ruske, F.
Tessema, G.
Vianden, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2028909.pdf
Data publikacji:
2001-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Vv
61.72.Tt
81.40.Ef
76.80.+y
Opis:
The γ-γ perturbed angular correlation technique is a very powerful tool for the investigation of dopant incorporation and damage recovery after implantation in semiconductors. The basic principles of the technique will be introduced followed by a discussion of its strengths and limitations. Examples of its application will be given, ranging from cavities in silicon, effects of uniaxial stress on acceptor-donor pairs in silicon to damage recovery in nitride semiconductors like GaN.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 5; 585-602
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies