Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Komissarov, V. I" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Barrier and Self-Energy Effects in Manganite Tunneling Characteristics
Autorzy:
Svistunov, V.
Revenko, Y.
Belogolovskii, M.
Gerasimenko, A.
Pashkevich, Y.
Szymczak, H.
Przyslupski, P.
Komissarov, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2037099.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.47.Gk
75.47.Lx
Opis:
Tunneling conductance spectra of point-contact junctions formed by a sharp Ag tip and two optimally doped manganites La$\text{}_{0.67}$Sr$\text{}_{0.33}$MnO$\text{}_{3}$ and Nd$\text{}_{0.67}$ Sr$\text{}_{0.33}$MnO$\text{}_{3}$ are measured and analyzed. It was found that the analytical dependence of the differential conductance on voltage strongly depends on the bias sign and dramatically changes after voltage treatments. The data obtained are explained in terms of the Glasman-Matveev model for tunneling across two localized states settled in the barrier near the manganite bulk. Effective functions of electron-boson interaction extracted from self-energy contributions to the experimental characteristics contain signs of phonon and magnon excitations, higher-energy satellites as a result of possible orbital ordering and a hallmark of localized states in the near-barrier region in the form of strong not-well reproduced peaks.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 1-2; 87-92
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies