Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Jeżewski, R." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
GaAlAs Allox/Pseudoalloy Type II Structures
Autorzy:
Jeżewski, M.
Teissier, R.
Planel, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1879871.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.65.Fa
Opis:
The existence of type-II structures made from the combination of Ga$\text{}_{1-x}$AI$\text{}_{x}$As alloy and a short period GaAs/AlAs type-I superlattice is presented. Such three material structures are of type-II having at the same time electrons and holes of Γ-symmetry. This contrasts with the usual situation in type-II two material GaAs/AlAs structure where the ground state of electrons is of X-symmetry. The mechanism allowing creation of three material type-II structures is based on the difference of effective masses of electrons and holes. It should be valid for all similar semiconductor systems. Experimental results of photoluminescence and photoluminescence excitation studies of such structures made by Molecular Beam Epitaxy are presented. We determine the mutual positions of the electron and hole ground levels in the alloy and pseudoalloy and confirm that the studied structure is of type-II.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 195-198
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photovoltaic Effect with a Spectrally Dependent Sign in Type-II GaAlAs Heterostructure
Autorzy:
Jeżewski, M.
Teissier, R.
Mollot, F.
Planel, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923840.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
72.40.+w
72.20.Jv
Opis:
An asymmetric n-i-n like-II GaAs/GaAlAs/AlAs quantum heterostructure was designed and fabricated in order to observe a static photovoltage with a spectrally dependent sign. This photovoltage is associated with a light induced spatial separation of electrons and holes within selected regions of the structure. The observed photovoltage spectrum is compared with luminescence and luminescence excitation results.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 833-836
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies