Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "cienkie warstwy" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Structural And Optical Properties Of VOx Thin Films
    Własności strukturalne i optyczne cienkich warstw VOx
    Autorzy:
    Schneider, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/353645.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    VOx thin films
    reactive sputtering
    microstructure
    optical properties
    energy band gap
    cienkie warstwy VOx
    rozpylanie magnetronowe
    mikrostruktura
    właściwości optyczne
    przerwa energetyczna
    Opis:
    VOx thin films were deposited on Corning glass, fused silica and Ti foils by means of rf reactive sputtering from a metallic vanadium target. Argon-oxygen gas mixtures of different compositions controlled by the flow rates were used for sputtering. Influence of the oxygen partial pressure in the sputtering chamber on the structural and optical properties of thin films has been investigated. Structural properties of as-sputtered thin films were studied by X-ray diffraction at glancing incidence, GIXD. Optical transmittance and reflectance spectra were recordedwith a Lambda 19 Perkin-Elmer double spectrophotometer. Thickness of the films was determined from the profilometry. It has been confirmed by XRD that the deposited films are composed mainly of V2O5 phase. The estimated optical band gap of 2.5 eV corresponds to V2O5.
    Cienkie warstwy VOx były nanoszone na szkło Corning metodą rozpylania magnetronowego rf. Jako katody użyto metalicznego wanadu. Były one nanoszone w komorze wypełnionej mieszaniną argonu i tlenu w różnych proporcjach przy ustalonych przepływach. Zbadano wpływ ciśnienia parcjalnego tlenu w komorze na własności strukturalne i optyczne otrzymanych warstw. Własności strukturalne cienkich warstw zostały określone metodą rozpraszania promieniowania rentgenowskiego padającego pod małymi kątami (GIXD). Widma optyczne transmitancji i odbicia zostały wykonane przy użyciu spektrometru Lambda 19 Perkin-Elmer. Grubość badanych warstw zmierzono za pomocą profilometru. Pomiary XRD potwierdziły, że otrzymane warstwy składają się głównie z fazy V2O5. Wyznaczona optycznie przerwa energetyczna wynosząca 2.5 eV odpowiada przerwie energetycznej V2O5.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2A; 957-961
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Improved Photovoltaic Properties Of Dye-Sensitized Solar Cells Using Laser Patterned F-Doped SnO2 Thin Films
    Poprawa właściwości fotowoltaicznych ogniw słonecznych uczulonych barwnikiem przez laserową modyfikację powierzchni cienkich warstw SnO2
    Autorzy:
    An, H.-R.
    An, H.
    Riu, D.-H.
    Ahn, H. J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/353636.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    dye-sensitized solar cells
    F-doped SnO2 thin films
    surface morphology
    laser patterning
    fotowoltaniczne ogniwa słoneczne
    cienkie warstwy SnO2
    morfologia powierzchni
    modyfikacja laserowa
    Opis:
    We modified the surfaces of F-doped SnO2 thin films using laser patterning to improve the photovoltaic properties of dye-sensitized solar cells. To do so, we varied the laser power density and the distance between laser-patterned lines. First, we investigated three power densities. Higher densities led to higher sheet resistances owing to increases in surface roughnesses. The lowest power density increased surface roughness without electrical degradation. Next, we explored three line spacings at a fixed power density. The films with the narrowest spacing exhibited the highest power conversion efficiency (~7.00%), the highest short-circuit photocurrent density (16.28 mA/cm2), and a good fill factor (58.82%).
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2B; 1241-1245
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of calcination temperature on optical and structural properties of TiO2 thin films prepared by means of sol-gel and spin coating
    Autorzy:
    Tański, T.
    Matysiak, W.
    Kosmalska, D.
    Lubos, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/201456.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    TiO2 thin films
    spin coating
    optical properties
    structural properties
    calcination
    sol-gel
    titanium dioxide
    Cienkie warstwy TiO2
    właściwości optyczne
    właściwości strukturalne
    kalcynacja
    zol-żel
    dwutlenek tytanu
    Opis:
    In this study, ceramic TiO2 thin films were prepared on glass substrates using sol-gel and spin-coating methods from the TNBT/ AcOH/ EtOH/ H2O solution. The obtained coatings were subjected to drying at room temperature and were then calcined in the air at different temperatures in a range of 400–600°C in order to obtain clean TiO2   layers. The surface morphology and chemical composition were characterized with the use of a scanning electron microscope (SEM) and an energy dispersive spectrometer (EDX). Research has shown the presence of elements in the TiO2   and the influence of temperatures on layer thickness. Analysis of optical properties and energy gap width of the prepared coatings was determined by means of spectra analysis of absorbance as a function of radiation energy obtained with the use of the UV-VIS spectrophotometer. The obtained spectra of the layers are characterized by a shift of absorption lines towards the visible light wavelengths and the obtained values of band gaps decrease as the calcination temperature rises. The obtained and developed results of TiO2   thin films testify to the wide application possibilities of the layers in elements which use photocatalytic processes such as self-cleaning surfaces, solar cells, pollution removing membranes and optoelectronic components.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2018, 66, 2; 151-156
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Internal Friction and Youngs Modulus Measurements on SiO2 and Ta2O5 Films Done with an Ultra-High Q Silicon-Wafer Suspension
    Badania tarcia wewnętrznego i modułu Younga w warstwach SiO2 i Ta2O5 przeprowadzone w układzie zawierającym mocowanie próbki w postaci wafli krzemowych, które charakteryzuje się skrajnie wysoką wartością parametru Q
    Autorzy:
    Granata, M.
    Balzarini, L.
    Degallaix, J.
    Dolique, V.
    Flaminio, R.
    Forest, D.
    Hofman, D.
    Michel, C.
    Pedurand, R.
    Pinard, L.
    Sassolas, B.
    Straniero, N.
    Teillon, J.
    Cagnoli, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/355448.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    ultra low loss suspensions
    Q measurements
    optical dielectric coatings
    silica
    tantala Ta2O5
    thin films
    niskie straty układu zawieszenia
    pomiar Q
    optyczne powłoki dielektryczne
    krzemionka
    tantal Ta2O5
    cienkie warstwy
    Opis:
    In order to study the internal friction of thin films a nodal suspension system called GeNS (Gentle Nodal Suspension) has been developed. The key features of this system are: i) the possibility to use substrates easily available like silicon wafers; ii) extremely low excess losses coming from the suspension system which allows to measure Q factors in excess of 2×108 on 3” diameter wafers; iii) reproducibility of measurements within few percent on mechanical losses and 0.01% on resonant frequencies; iv) absence of clamping; v) the capability to operate at cryogenic temperatures. Measurements at cryogenic temperatures on SiO2 and at room temperature only on Ta2O5 films deposited on silicon are presented.
    Aby umożliwić prowadzenie badań tarcia wewnętrznego (Q-1 ) w cienkich warstwach opracowano węzłowy układ zawieszenia o nazwie GeNS (Gentle Nodal Suspension). Do najważniejszych cech charakterystycznych tego układu zaliczamy: i) możliwość wykorzystania łatwo dostępnych substratów, takich jak wafle krzemowe; ii) bardzo niskie straty nadmiarowe pochodzące z samego układu zawieszenia, co umożliwia pomiar wielkości Q przekraczających wartość 2×108 na waflach o średnicy 3”; iii) powtarzalność wyników pomiarów strat mechanicznych w zakresie kilku procent, a częstotliwości rezonansowej w zakresie 0,01%; iv) brak mocowań próbki; v) możliwość prowadzenia pomiarów w temperaturach kriogenicznych. W pracy przedstawiono wyniki pomiarów uzyskanych w temperaturach kriogenicznych dla SiO2 i przy temperaturze pokojowej dla warstw Ta2O5 osadzonych na krzemie.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 1; 365-370
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies