Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "K4" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    The K4 graph and the inertia of the adjacency matrix for a connected planar graph
    Autorzy:
    Taliceo, Nicholas P.
    Griffith, Daniel A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2021553.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    K4 graph
    planar graph
    matrix inertia
    adjacency matrix
    Jacobian term
    Nauki Humanistyczne i Społeczne
    Źródło:
    Studia komitetu przestrzennego zagospodarowania kraju PAN; 2018, 183; 185-209
    0079-3507
    Pojawia się w:
    Studia komitetu przestrzennego zagospodarowania kraju PAN
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characterization of Al2O3/4H-SiC and Al2O3/SiO2/4H-SiC MOS structures
    Autorzy:
    Taube, A.
    Guziewicz, M.
    Kosiel, K.
    Gołaszewska-Malec, K.
    Król, K.
    Kruszka, R.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/953063.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    aluminum oxide
    MOS
    silicon carbide
    4H-SiC
    high-K dielectrics
    tlenek glinu
    węglik krzemu
    dielektryki high-k
    Opis:
    The paper presents the results of characterization of MOS structures with aluminum oxide layer deposited by ALD method on silicon carbide substrates. The effect of the application of thin SiO2 buffer layer on the electrical properties of the MOS structures with Al2O3 layer has been examined. Critical electric field values at the level of 7.5–8 MV/cm were obtained. The use of 5 nm thick SiO2 buffer layer caused a decrease in the leakage current of the gate by more than two decade of magnitude. Evaluated density of trap states near the conduction band of silicon carbide in Al2O3/4H-SiC MOS is about of 1×1013 eV−1cm−2. In contrast, the density of the trap states in the Al2O3/SiO2/4H-SiC structure is lower about of one decade of magnitude i.e. 1×1012 eV−1cm−2. A remarkable change in the MOS structure is also a decrease of density of electron traps located deeply in the 4H-SiC conduction band below detection limit due to using of the SiO2 buffer layer.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2016, 64, 3; 537-551
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Space-Time-Frequency Machine Learning for Improved 4G/5G Energy Detection
    Autorzy:
    Wasilewska, Małgorzata
    Bogucka, Hanna
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/226216.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    spectrum sensing
    cognitive radio
    machine learning
    energy detection
    4G
    LTE
    5G
    k-nearest neighbors
    random forest
    Opis:
    In this paper, the future Fifth Generation (5G New Radio) radio communication system has been considered, coexisting and sharing the spectrum with the incumbent Fourth Generation (4G) Long-Term Evolution (LTE) system. The 4G signal presence is detected in order to allow for opportunistic and dynamic spectrum access of 5G users. This detection is based on known sensing methods, such as energy detection, however, it uses machine learning in the domains of space, time and frequency for sensing quality improvement. Simulation results for the considered methods: k-Nearest Neighbor sand Random Forest show that these methods significantly improves the detection probability.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2020, 66, 1; 217-223
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies