Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Gołaszewska, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Analysis of the effect of various types of limestone as a main constituent of cement on the chosen properties of cement pastes and mortars
    Analiza wpływu różnych rodzajów wapienia jako składnika głównego cementu na wybrane właściwości zaczynów i zapraw
    Autorzy:
    Gołaszewski, J.
    Cygan, G.
    Gołaszewska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/230346.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    wapień
    zaprawa
    cement
    reologia
    skurcz
    właściwości mechaniczne
    limestone
    mortar
    rheology
    shrinkage
    mechanical properties
    Opis:
    The article is an attempt to compare the impact of the use of various types of limestone as the main constituent of cement on selected mortar properties. Four different limestones were added in amount of 15, 30, 40% to CEM I 42.5 R to obtain limestone cemens. Rheological properties (yield stress, plastic viscosity) of fresh mortar, tensile and compressive mortar strength, early shrinkage, and drying shrinkage were tested. Obtained results indicate that both tensile and compressive strength decreases with the increase of the limestone content in cement. Limestone can worsen or improve workability, depending on distribution of limestone grains. The addition of limestone increases the early shrinkage, but reduces the shrinkage after 28 days. Studies show that the granulation of limestone plays an important role in determining the influence of limestone on mortar properties.
    Mączki wapienne są stosowane szeroko w budownictwie, między innymi jako składnik główny cementu. Mączki wapienne kształtują właściwości kompozytów cementowych poprzez kilka mechanizmów. Pierwszym jest efekt wypełnienia związany głównie z ich uziarnieniem. Oprócz tego zastąpienie części klinkieru wapieniem powoduje wzrost efektywnego stosunku wodno-cementowego, w efekcie czego ziarna klinkieru portlandzkiego (cementu) mają dostępne więcej wody do procesu hydratacji. Drobne ziarna wapienia zapobiegają także aglomeracji produktów hydratacji wokół ziaren klinkieru, w efekcie woda ma łatwiejszy dostęp do niehydratyzowanych części ziaren cementu przez dłuższy okres niż w przypadku cementów portlandzkich bez dodatku wapienia. Drobniejsze od klinkieru ziarna wapienia mogą także działać jako zarodki krystaliczne, które przyspieszają proces hydratacji, w głównej mierze glinianów wapniowych. Wapień nie ma właściwości pucolanowych czy hydraulicznych, a jego wpływ na wytrzymałość na ściskanie cementu jest niewielki. Generalnie wytrzymałość na ściskanie zmniejsza się co jest związane z efektem rozcieńczenia. Wpływ wapienia na niektóre właściwości cementów wapiennych, m.in. czas wiązania oraz właściwości reologiczne, jest jednak niejednoznaczny. Celem przeprowadzonych badań było więc sprawdzenie jak różne rodzaje wapienia wpływają na wybrane właściwości zaczynów i zapraw z cementem z wapieniem jako składnikiem głównym.
    Źródło:
    Archives of Civil Engineering; 2019, 65, 3; 75-86
    1230-2945
    Pojawia się w:
    Archives of Civil Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical investigations of ZnO layers affected by some selected gases in the aspect of their application in optical gas sensors
    Autorzy:
    Struk, P.
    Pustelny, T.
    Gołaszewska, K.
    Borysiewicz, M. A.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/200967.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    ZnO
    semiconductor
    gas sensors
    Zno
    czujniki gazu
    półprzewodnik
    Opis:
    The paper presents the results of investigations of zinc oxide (ZnO) layers as a potential sensing material, being affected by certain selected gaseous environments. The investigations concerned the optical transmission through thin ZnO layers in wide spectral ranges from ultraviolet to the near infrared. The effect of the gaseous environment on the optical properties of zinc oxide layers with a thickness of ~ 400 nm was analyzed applying various technologies of ZnO manufacturing. Three kinds of ZnO layers were exposed to the effect of the gaseous environment, viz.: layers with relatively slight roughness (RMS several nm), layers with a considerable surface roughness (RMS some score of nm) and layers characterized by porous ZnO structures. The investigations concerned spectral changes in the transmission properties of the ZnO layers due to the effect of such gases as: ammonia (NH3), hydrogen (H2), and nitrogen dioxide (NO2) in the atmosphere of synthetic air. The obtained results indicated the possibility of applying porous ZnO layered structures in optical gas sensors.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2015, 63, 4; 829-836
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    ZnO - Wide bandgap semiconductor and possibilities of its application in optical waveguide structures
    Autorzy:
    Struk, P.
    Pustelny, T.
    Gołaszewska, K.
    Borysiewicz, M. A.
    Kamińska, E.
    Wojciechowski, T.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/220412.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Wide band gap oxide semiconductors
    ZnO
    integrated optics structures
    planar waveguides
    Opis:
    The paper presents the results of investigations concerning the application of zinc oxide - a wideband gap semiconductor in optical planar waveguide structures. ZnO is a promising semiconducting material thanks to its attractive optical properties. The investigations were focused on the determination of the technology of depositions and the annealing of ZnO layers concerning their optical properties. Special attention was paid to the determination of characteristics of the refractive index of ZnO layers and their coefficients of spectral transmission within the UV-VIS-NIR range. Besides that, also the mode characteristics and the attenuation coefficients of light in the obtained waveguide structures have been investigated. In the case of planar waveguides, in which the ZnO layers have not been annealed after their deposition, the values of the attenuation coefficient of light modes amount to a ≈ 30 dB/cm. The ZnO layers deposited on the heated substrate and annealed by rapid thermal annealing in an N2 and O2 atmosphere, are characterized by much lower values of the attenuation coefficients: a ≈ 3 dB/cm (TE0 and TM0 modes). The ZnO optical waveguides obtained according to our technology are characterized by the lowest values of the attenuation coefficients a encountered in world literature concerning the problem of optical waveguides based on ZnO. Studies have shown that ZnO layers elaborated by us can be used in integrated optic systems, waveguides, optical modulators and light sources.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2014, 21, 3; 401-412
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characterization of Al2O3/4H-SiC and Al2O3/SiO2/4H-SiC MOS structures
    Autorzy:
    Taube, A.
    Guziewicz, M.
    Kosiel, K.
    Gołaszewska-Malec, K.
    Król, K.
    Kruszka, R.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/953063.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    aluminum oxide
    MOS
    silicon carbide
    4H-SiC
    high-K dielectrics
    tlenek glinu
    węglik krzemu
    dielektryki high-k
    Opis:
    The paper presents the results of characterization of MOS structures with aluminum oxide layer deposited by ALD method on silicon carbide substrates. The effect of the application of thin SiO2 buffer layer on the electrical properties of the MOS structures with Al2O3 layer has been examined. Critical electric field values at the level of 7.5–8 MV/cm were obtained. The use of 5 nm thick SiO2 buffer layer caused a decrease in the leakage current of the gate by more than two decade of magnitude. Evaluated density of trap states near the conduction band of silicon carbide in Al2O3/4H-SiC MOS is about of 1×1013 eV−1cm−2. In contrast, the density of the trap states in the Al2O3/SiO2/4H-SiC structure is lower about of one decade of magnitude i.e. 1×1012 eV−1cm−2. A remarkable change in the MOS structure is also a decrease of density of electron traps located deeply in the 4H-SiC conduction band below detection limit due to using of the SiO2 buffer layer.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2016, 64, 3; 537-551
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies