Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Bugajski, A.J." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Analysis of Free-Space Optics Development
Autorzy:
Mikołajczyk, J.
Bielecki, Z.
Bugajski, M.
Piotrowski, J.
Wojtas, J.
Gawron, W.
Szabra, D.
Prokopiuk, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221245.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
optical communications
open path laser communications
line of sight communications
free space optics
Opis:
The article presents state of work in technology of free-space optical communications (Free Space Optics - FSO). Both commercially available optical data links and their further development are described. The main elements and operation limiting factors of FSO systems have been identified. Additionally, analyses of FSO/RF hybrid systems application are included. The main aspects of LasBITer project related to such hybrid technology for security and defence applications are presented.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2017, 24, 4; 653-674
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
GaAs/AlGaAs (~9.4 žm) quantum cascade lasers operating at 260 K
Autorzy:
Bugajski, M.
Kosiel, K.
Szerling, A.
Kubacka-Traczyk, J.
Sankowska, I.
Karbownik, P.
Trajnerowicz, A.
Pruszy, E.
Pierciński, K.
Pierścińska, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200656.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
quantum cascade lasers
pulsed mode
Opis:
The fabrication of Quantum Cascade Lasers (QCLs) emitting at 9.4 um is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded in 77 K were over 1 W, and the slope efficiency 0.5–0.6 W/A per uncoated facet. This has been achieved by the use of GaAs/Al0.45Ga0.55As heterostructure, with 3QW anticrossed-diagonal design originally proposed by Page et al. [1]. Double plasmon planar confinement with Al-free waveguide has been used to minimize absorption losses. The double trench lasers were fabricated using standard processing technology, i.e., wet etching and Si3N4 for electrical insulation. The QCL structures have been grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE), with Riber Compact 21T reactor. The stringent requirements – placed particularly on the epitaxial technology – and the influence of technological conditions on the device structure properties are presented and discussed in depth.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2010, 58, 4; 471-476
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies