Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Gułkowski, S." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Computer modeling in cost-efficient solar cell production technology
Komputerowe modelowanie w technologii produkcji ekonomicznych ogniw słonecznych
Autorzy:
Gułkowski, S.
Olchowik, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818703.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
komputerowe modelowanie
technologia produkcji
Opis:
W artykule przedstawione zostały rezultaty symulacji lateralnego wzrostu epitaksjalnego (ELO – Epitaxial Lateral Overgrowth) przeprowadzonych dla krzemowych podłoży wzrostowych o różnych współczynnikach wypełnienia maski (mask-to-window ratio): 70%, 50%, 30% oraz 10%. Zastosowano przy tym następujące parametry: wymiary domeny: 1000 µm × 2000 µm, szybkość chłodzenia: 0,5ºC/min, temperatura początkowa: 920ºC. Przedstawiono przykładową domenę obliczeniową oraz wygenerowaną siatkę numeryczną. W celu zwiększenia precyzji obliczeń w obszarach dużych gradientów koncentracji zastosowano zagęszczenie siatki. Dla wybranych geometrii domen przedstawiono profile koncentracji. Zbadano wpływ geometrii obszaru na kształt pola koncentracji, określającego strumienie masy. Zwiększenie powierzchni krystalizacji składnika spowodowało ukształtowanie się linii stałej koncentracji w objętości roztworu, charakterystyczne dla standardowej metody LPE. Kierunek przepływu Si w objętości jest prostopadły do powierzchni podłoża na całej jego długości. Natomiast przy powierzchni podłoża, na stosunkowo niewielkiej odległości, tworzy się warstwa roztworu, w której linie stałej koncentracji układają się wokół okien Si. Grubość tej warstwy zależy od stopnia wypełnienia i maleje wraz ze wzrostem liczby okien w obszarze domeny. Sąsiadujące ze sobą okna stanowią dla siebie konkurencję pod względem obszaru krystalizacji: tym większą, im bliżej siebie są umiejscowione. Przyczynia się to bezpośrednio do zmniejszenia szybkości wzrostu w kierunku lateralnym przy niewielkiej zmianie wartości szybkości w kierunku normalnym. Skutkuje to również zmniejszeniem wydłużenia względnego otrzymywanych warstw. Z analiz numerycznych wynika, że w celu otrzymania warstw lateralnych o maksymalnym wydłużeniu względnym należy uwzględnić szerokość pasm dielektryka znajdującego się między oknami. Odpowiednie dobranie geometrii podłoża pozwala na uzyskanie możliwie maksymalnych szybkości wzrostu w kierunku lateralnym.
Źródło:
Rocznik Ochrona Środowiska; 2013, Tom 15, cz. 1; 436-447
1506-218X
Pojawia się w:
Rocznik Ochrona Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies