Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "radiation defects" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Radiation-stimulated changes in the characteristics of surface-barrier AL–SI–BI structures with different concentrations of dislocations at the crystal surface
Autorzy:
Pavlyk, B.
Kushlyk, M.
Slobodzyan, D.
Matvijishyn, I.
Lys, R.
Jałbrzykowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/386556.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Białostocka. Oficyna Wydawnicza Politechniki Białostockiej
Tematy:
silicon
dislocations
surface-barrier structures
surface layers
radiation
reconstruction of defects
Opis:
We report the results of studies for the radiation-stimulated changes in electro-physical characteristics of surface-barrier Al–Si–Bi structures based on p-Si. We demonstrate that the X-ray irradiation is accompanied by different processes which depend on the density of the dislocations in the original silicon crystals. A usual evolution of the existing structural defects and their radiationstimulated ordering dominate when the concentration remains low enough. Increase in the concentration causes the increasing role of generation of additional radiation defects. Modelling of the underlying physical processes has testified that the near-contact Si layers are strained. They act as getters for the structural defects and impurities.
Źródło:
Acta Mechanica et Automatica; 2018, 12, 1; 72-77
1898-4088
2300-5319
Pojawia się w:
Acta Mechanica et Automatica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies