Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "circuit modeling" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Modeling the characteristics of high-k HfO2-Ta2O5 capacitor in Verilog-A
    Autorzy:
    Angelov, G. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/398142.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    modelowanie elementów elektronicznych
    model kompaktowy
    symulacja obwodu
    dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
    Verilog-A
    Spectre
    device modeling
    compact models
    circuit simulation
    high-k gate dielectric
    Opis:
    A circuit simulation model of a MOS capacitor with high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer is developed and coded in Verilog-A hardware description language. Model equations are based on the BSIM3v3 model core. Capacitance-voltage (C-V) and current-voltage (I-V) characteristics are simulated in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system and validated against experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 slack structure.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2011, 2, 3; 105-112
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Realization of logic integrated circuits in VeSTIC process - design, fabrication, and characterization
    Autorzy:
    Domański, Krzysztof
    Głuszko, Grzegorz
    Sierakowski, Andrzej
    Tomaszewski, Daniel
    Szmigiel, Dariusz
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397763.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    VeSTIC
    VeSFET
    logic cell
    logic integrated circuit
    ring oscillator
    parasitic element
    oscillation frequency
    compact modeling
    komórka logiczna
    logiczny układ scalony
    generator pierścieniowy
    częstotliwość oscylacji
    kompaktowe modelowanie
    Opis:
    A design and manufacturing of test structures for characterization of logic integrated circuits in a VeSTIC process developed in ITE, are described. Two variants of the VeSTIC processs have been described. A role and sources of the process variability have been discussed. The VeSFET I-V characteristics, the logic cell static characteristics, and waveforms of the 53-stage ring oscillator are presented. Basic parameters of the VeSFETs have been determined. The role of the process variability and of the parasitic elements introduced by the conservative circuit design, e.g. wide conductive lines connecting the devices in the circuits, have been discussed. Based on the inverter layout and on the process specification, the parasitic elements of the inverter equivalent circuit have been extracted. The inverter propagation times, the ring oscillator frequency, and their dependence on the supply bias have been determined.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2018, 9, 3; 123-132
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Surface Potential Modeling of a High-k HfO2-Ta2O5 Capacitor in Verilog-A
    Autorzy:
    Angelov, G. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397997.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    modelowanie elementów elektronicznych
    model kompaktowy
    PSP
    symulacja obwodu
    dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
    Verilog-A
    Spectre
    device modeling
    compact models
    circuit simulation
    high-k gate dielectric
    Opis:
    A compact model of a high-k HfO2-Ta2O5 mixed layer capacitor stack is developed in Matlab. Model equations are based on the surface potential PSP model. After fitting the C-V characteristics in Matlab the model is coded in Verilog-A hardware description language and it is implemented as external library in Spectre circuit simulator within Cadence CAD system. The results are validated against the experimental measurements of the HfO2-Ta2O5 stack structure.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 3; 111-118
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modeling and simulations of MEMS gyroscope with MATLAB/SIMULINK package
    Autorzy:
    Nazdrowicz, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397914.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    MEMS
    gyroscope
    angular velocity sensor
    microelectromechanical systems
    model simulation
    microaccelerometer
    MATLAB
    SIMULINK
    MEMS modeling
    equivalent circuit model
    żyroskop
    czujnik prędkości kątowej
    mikroukład elektromechaniczny
    model symulacyjny
    akcelerometr
    modelowanie MEMS
    model obwodu zastępczego
    Opis:
    This paper presents developed mathematical model of MEMS gyroscope created in Matlab/SIMULINK environment. The model can be very useful for calculating MEMS gyroscope geometrical parameters. These parameters play very significant role, because they have huge and direct impact on device response, performance and further possibilities of application. Results of simulations are presented in this article separately for drive and sense direction. In addition there are also results in frequency domain presented. With all these results we obtain quick overview of behavior this kind of MEMS device and response characteristics.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 1; 21-28
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies