Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Fernandes, J. R." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
A comparative study on transformer and inductor based LC tanks for VCOs
Autorzy:
Duarte, R.
Fernandes, J. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397839.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
RF (częstotliwość radioelektryczna)
VCO (generator sterowany napięciowo)
RF (radio frequency)
VCO ( voltage controlled oscillators)
PLL
Opis:
This paper presents a detailed comparative study of two different approaches to implement the resonator found in radio frequency (RF) voltage controlled oscillators (VCOs). An inductor LC tank VCO and a transformer LC tank VCO are compared in terms of phase noise, power consumption, tuning range and circuit area. Conclusions about the use of each approach depending on the design goals are presented.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 1; 37-41
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An energy harvesting circuit for self-powered sensors
Autorzy:
Fernandes, J. R.
Martins, M.
Piedade, M.
Goncalves, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/398011.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
prostownik dwupołówkowy
odzyskiwanie energii
power-harvesting
full-wave rectifier
Opis:
In this work we present a prototype circuit to harvest energy from radio waves or through magnetic coupling based on a stack of full-wave rectifiers with transistors working on sub-threshold region. This circuit will use as an input a field-to-voltage converter capable of outputting a 200mV waveform and is able to self-start without any other energy sources. The circuit presented here is a proof of concept energy-harvesting circuit powering a low frequency ring oscillator which acts as the load. The circuit is designed, simulated and tested in a standard CMOS process, AMS CMOS 0.35 μm.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2011, 2, 1; 1-5
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal assisted switching magnetic tunnel junctions as FPGA memory elements
Autorzy:
Silva, V.
Fernandes, J. R.
Oliveira, L. B.
Neto, H. C.
Ferreira, R.
Freitas, S.
Freitas, P. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397855.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
MRAM (oporność magnetyczna pamięci o dostępie swobodnym)
MTJ (magnetyczny tunel połączeń)
pisanie projektów (programów)
FIMS (pole indukowane magnetycznym przełącznikiem)
MRAM (magnetoresistive random access memory)
MTJ (magnetic tunnel junction)
writing schemes
FIMS (field induced magnetic switching)
TAS (thermal assisted switching)
STT
Opis:
This paper presents our research and development work on new circuits and topologies based on Magnetic RAM for use as configuration memory elements of reconfigurable arrays. MRAM provides non volatility with cell areas and with access speeds comparable to those of SRAM and with lower process complexity than FLASH memories. The new memory cells take advantage of the Thermal Assisted Switching (TAS) writing technique to solve the drawbacks of the more common Field Induced Magnetic Switching writing technique. The CMOS circuit structures to implement the main components for reading and writing the MTJ cells have been developed, characterized and evaluated. A scaled down prototype of a coarse grain reconfigurable array that employs the TAS-MRAM elements as configuration memory has been designed and electrically simulated pre- and post- layout. The results obtained for all the circuit elements, namely the storage cells and the current generators, indicate that the new configuration memory cells can provide a very promising technological solution for run-time reconfigurable hardware devices. The prototype has been manufactured using a standard process 0.35μm 4-Metal CMOS process technology and should be under test in the foreseeable future.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 1; 31-36
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies