Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "KR." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Investigations of positron lifetime spectra in iron defected with highly energetic Bi and Kr ions
Autorzy:
Pietrzak, R.
Szatanik, R.
Glatki, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146340.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
ion implantation
defects
annihilation
Opis:
The positron lifetime spectra in iron defected with a beam of Bi+51 and Kr+27 ions of energies 670 MeV and 240 MeV, respectively, were investigated. These spectra were analysed by an appropriate separation in 1, 2 or 3 components. It has been found that the experimental data best fit to the assumed model if only two components are taken into account. For comparison, we investigated both irradiated and non-irradiated surfaces of the sample. We have taken into account the fact that the range of penetration of iron by Bi and Kr ions is small. The dependence of the positron lifetime spectra on the absorbed dose and kind of the bombarding ions is presented.
Źródło:
Nukleonika; 2010, 55, 1; 27-30
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Xe and Kr bonding abilities in the single crystal oxygen vacancies of the uranium based fuel
Autorzy:
Dąbrowski, L.
Szuta, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147880.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
noble gases
chemical bond
UO2 single crystal
valence electron density distribution
atomic force constants
bond energy
crystal lattice
Opis:
The valence electron density distribution of krypton and xenon located in the oxygen vacancy and in its nearest neighbourhood was performed by application of the method “ab initio”. The results are presented on the graphs. The bonding energies of krypton and xenon in the uranium dioxide crystal lattice were calculated. It was found also that krypton and xenon cause a local increase of UO1.75Xe0.25 and UO1.75Kr0.25 unit cell and cause its deformation what is presented in tables. The force constants of krypton and xenon were also assigned what gives evidence about the strong bond of krypton and xenon with the UO1.75Xe0.25 and UO1.75Kr0.25 single crystal lattice. Obtained results are compared with the analogical studies of He atom incorporation into UO2 single crystal lattice.
Źródło:
Nukleonika; 2012, 57, 1; 95-100
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Damage distributions in GaAs single crystal irradiated with 84Kr (394 MeV), 209Bi (710 MeV) and 238U (1300 MeV) swift ions
Autorzy:
Didyk, A. Y.
Komarov, F. F.
Vlasukova, L. A.
Gracheva, E. A.
Hofman, A.
Yuvchenko, V. N.
Wiśniewski, R.
Wilczyńska, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146738.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
semiconductors
gallium arsenide
swift heavy ions
inelastic energy loss
atomic force microscopy (AFM)
Opis:
We are presenting a study of damage distribution in GaAs irradiated with 84Kr ions of energy EKr = 394 MeV up to the fluence of 5 × 1012 ion/cm-2. The distribution of damage along the projected range of 84Kr ions in GaAs was investigated using selective chemical etching of a single crystal cleaved perpendicularly to the irradiated surface. The damage zone located under the Bragg peak of 84Kr ions was observed. Explanation of the observed effects based on possible processes of channeling of knocked target atoms (Ga and As) is proposed.
Źródło:
Nukleonika; 2008, 53, 2; 77-82
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies