- Tytuł:
- Optimization of selected parameters of SiGe HBT transistors
- Autorzy:
-
Zaręba, A.
Jakubowski, A. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/309306.pdf
- Data publikacji:
- 2000
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Tematy:
-
heterojunction bipolar transistor
base transit time
current gain - Opis:
- SiGe-base HBTs with Gaussian doping distribution are modeled including the effect of the drift field and variable Ge concentration in the base on the diffusion coefficient. Two different Ge distributions in the base are considered: a triangular one and a box one.
- Źródło:
-
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 15-18
1509-4553
1899-8852 - Pojawia się w:
- Journal of Telecommunications and Information Technology
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł