Temat: bipolar transistor - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base
Autorzy:: Zaręba, A.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308625.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: heterojunction bipolar transistor
SiGe
base width modulation
Opis:: A model of the position of the edge of emitter-base junction in the base and collector current pre-exponential ideality factor in HBT transistor with a SiGe base is presented. The model is valid for transistors with nonuniform profiles of doping and Ge content. The importance of taking into account the dependence of the effective density of states in SiGe on local Ge content and that of electron diffusion coefficient in SiGe on drift field for modeling accuracy is studied.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 88-92
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Optimization of selected parameters of SiGe HBT transistors
Autorzy:: Zaręba, A.
Jakubowski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/309306.pdf
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: heterojunction bipolar transistor
base transit time
current gain
Opis:: SiGe-base HBTs with Gaussian doping distribution are modeled including the effect of the drift field and variable Ge concentration in the base on the diffusion coefficient. Two different Ge distributions in the base are considered: a triangular one and a box one.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 15-18
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Properties and benefits of fluorine in silicon and silicon-germanium devices
Autorzy:: Ashburn, P.
El Mubarek, H. A. W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308789.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: bipolar transistor
boron diffusion
fluorine
passivation of interface states
polysilicon emitter
Opis:: This paper reviews the behaviour of fluorine in silicon and silicon-germanium devices. Fluorine is shown to have many beneficial effects in polysilicon emitter bipolar transistors, including higher values of gain, lower emitter resistance, lower 1/f noise and more ideal base characteristics. These results are explained by passivation of trapping states at the polysilicon/silicon interface and accelerated break-up of the interfacial oxide layer. Fluorine is also shown to be extremely effective at suppressing the diffusion of boron, completely suppressing boron transient enhanced diffusion and significantly reducing boron thermal diffusion. The boron thermal diffusion suppression correlates with the appearance of a fluorine peak on the SIMS profile at approximately half the projected range of the fluorine implant, which is attributed to vacancy- fluorine clusters. When applied to bipolar technology, fluorine implantation leads to a record fT of 110 GHz in a silicon bipolar transistor.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 57-63
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "bipolar transistor" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język