Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Finite-difference time-domain method" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
The 100 W class A power amplifier for L-band T/R module
Autorzy:
Wojtasiak, W.
Gryglewski, D.
Sędek, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308787.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
modelling
MESFETs
finite difference time domain method
power transistors
microwave transistors
Opis:
In the paper a balanced high power amplifier with class A silicon bipolar transistors for L-band T/R module is described. The amplifier was designed for maximum power and minimum transmitance distortions. The obtained parameters of the amplifier are as follow: output power at 1 dB compression P(1dB)>49 dBm, linear gain IS21I>10 dB, and transmitance deviations during the RF pulse: phase delta arg(S2)<0.9° and deltaP(out)<0.2 dB.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2002, 1; 11-13
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies