Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Yang, C. D." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Electrical characterization of ISFETs
Autorzy:
Tomaszewski, D.
Yang, C. M.
Jaroszewicz, B.
Zaborowski, M.
Grabiec, P.
Pijanowska, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308663.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
ISFET
CMOS
electrical measurements
I-V characteristics
characterization
parameters extraction
Opis:
Methodology of electrical characterization of ISFETs has been described. It is based on a three-stage approach. First, electrical measurements of ISFET-like MOSFETs and extraction of basic parameters of the MOSFET compact model are performed. Next, mapping of the ISFET channel conductances and a number of other characteristic parameters is carried out using a semi-automatic testing setup. Finally, ISFET sensitivity to solution pH is evaluated. The methodology is applied to characterize ISFETs fabricated in the Institute of Electron Technology (IET).
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 55-60
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies