Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "quantum method" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Some Physical Properties of Copper Oxide Thin Films Prepared by Electrolysis Method
Autorzy:
Oudah, Mustafa H.
Mazin, H. Hasan
Abd, Ahmed N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1065248.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
copper oxide
drop-casting method
electrolysis
quantum size effect
thin films
Opis:
The aim of this paper is to study the properties of copper oxide thin films prepared by electrolysis method and deposited on glass substrates by drop-casting method at different annealing temperatures. Copper oxide colloidal was successfully prepared by electrolysis method. The X-ray diffraction confirms the polycrystalline structure of the films. Atomic force microscopy shows that the increase in the annealing temperature improves the surface morphology, increases the grain size and removes the cracks. The best optical transmittance was for the film annealed at 200 ºC. The bandgap decreases from 3.35 eV to 3.15 eV as a result of increasing the annealing temperature. The wide bandgap that obtained in this study is due to quantum size effect.
Źródło:
World Scientific News; 2019, 135; 59-70
2392-2192
Pojawia się w:
World Scientific News
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electronic structures of CdSe quantum dots embedded in ZnSe
Autorzy:
Jayawardhana, M. R. P. I.
Wijewardena Gamalath, K. A. I. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1178287.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
LCAO method
Quantum dot
Sparse matrices
adjacency matrix
folded spectrum method
optical matrix elements
strain effects
valence band offset
Opis:
The electronic structures and optical matrix elements of CdSe semiconductor quantum dots of near cubical, hemispherical and cylindrical shape embedded in ZnSe were calculated. Bulk Hamiltonian matrices were obtained using the empirical tight binding method including spin-orbital coupling and relativistic effects. All quantum dots were simulated in reciprocal space and the number of atoms in each quantum dot was kept nearly equal for the comparison purpose. An adjacency matrix was produced which indicates the adjacencies of unit cells and the bulk Hamiltonian was included for each adjacency point in order to obtain the quantum dot Hamiltonians. The strain effects, valence band offset and spin orbital coupling were included in the calculations. The quantum dot Hamiltonian was solved to obtain the highest and lowest eigenvalues from which the electronic structure was obtained. Then eigenvalues near integers ranging from the lowest eigenvalue to highest eigenvalue was generated for the point.
Źródło:
World Scientific News; 2017, 86, 3; 205-225
2392-2192
Pojawia się w:
World Scientific News
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies