Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "mobility;" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 21
Tytuł:
Activation processes for two chosen aromatic hydrocarbon materials
Mechanizm przewodnictwa ładunku w aktywowanych warstwach tetracenu i p-czterofenylu
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296486.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
tetracen
ruchliwość elektronów
ruchliwość dziur
transport nośników ładunku
tetracene
electron mobility
hole mobility
carrier transport
Opis:
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Obtained results may suggests the hopping transport through the localized states near the Fermi level as a dominant kind of transport. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggest that tetracene is better for utilization as a vapour sensors.
Badano proces aktywacji i proces transportu nośników w warstwach tetracenu i czterofenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia, jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne. Wydaje się, że większe możliwości zastosowań w technologii cienkowarstwowej ze względu na dużą głębokość modulacji konduktywności i niewystępowania efektu przebicia ma p-czterofenyl. Tetracen może mieć zastosowanie jako materiał modulujący swoje przewodnictwo w obecności gazów pod warunkiem zastosowania grubszych warstw.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2009, 30; 47-64
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Role of ions mobility in flexoelectric deformations of conductive homeoptropic nematic layers
Rola ruchliwości jonów w fleksoelektrycznych odkształceniach przewodzących homeotropowych warstw nematycznych
Autorzy:
Buczkowska, M.
Derfel, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296518.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
nematyk
fleksoelektryczność
ruchliwość jonów
nematics
flexoelectricity
ion mobility
Opis:
Numerical studies of d.c. electric field induced deformations of homeotropic layers of flexoelectric nematics containing ions are presented. It is shown that anomalous dependencies of threshold voltage for deformations on ion concentration, which were found in our previous papers, are due to difference between mobilities of cations μ + and anions μ -. The influence of this difference on the deformations is analyzed. The set of equations describing the director orientation, the electric potential and the ion concentrations as functions of the coordinate normal to the layer, is solved. The calculations are performed for four types of nematic materials characterized by both signs of dielectric anisotropy and of the sum of flexoelectric coefficients. Finite surface anchoring strength is assumed. It is shown that the anomalies concerning the threshold vanish if μ + becomes equal to μ - results are explained by means of qualitative analysis of the electric field distributions.
Przedstawiono wyniki symulacji numerycznych dotyczących zachowania homeotropowej warstwy przewodzącego nematyka posiadającego właściwości fleksoelektryczne i poddanego działaniu zewnętrznego pola elektrycznego. Obliczenia przeprowadzono dla czterech typów materiałów nematycznych scharakteryzowanych przez obydwa znaki anizotropii dielektrycznej i sumy współczynników fleksoelektrycznych. Pokazano, że anomalne zależności napięcia progowego od koncentracji jonów są związane z różnicą ruchliwości jonów dodatnich i ujemnych. Anomalie te zanikają, jeśli ruchliwość kationów staje się bliska ruchliwości anionów. Zaproponowano jakościową interpretację wyników opartą na analizie rozkładu pola elektrycznego w warstwie.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2008, 29; 5-24
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dispersive charge transport in hopping systems under open-circuit conditions: computer simulation
Dyspersyjny transport ładunku w układach przeskokowych w warunkach obwodu otwartego: symulacja komputerowa
Autorzy:
Bąk, G. W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296536.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
ruchliwość dryftowa elektronów
transport dyspersyjny
low-mobility materials
dispersive transport
Opis:
Applicability of the theories describing the discharge in thin-film insulators under open-circuit conditions for dispersive hopping systems is the subject of this paper. It is shown by means of computer simulation that the drift mobility obtained from application of the theories for such systems is underestimated. The computer simulation was carried out for a thin film system in which the charge transport is dominated by hopping of charge carriers among localized states in a narrow band at the Fermi level. The way of interpretation of the discharge under opencircuit conditions in such systems is suggested. The simulation results have also been applied for interpretation of the open-circuit discharge in thin diamond-like carbon films.
Badano stosowalność teorii opisujących rozładowanie cienkich warstw izolatorów z przeskokowym transportem ładunku w warunkach obwodu otwartego. Pokazano, że wartości ruchliwości otrzymane w wyniku zastosowania tych teorii do układów dyspersyjnych są niedoszacowane. Symulację wykonano dla układów, w których transport przeskokowy odbywa się w wąskim paśmie w pobliżu poziomu Fermiego. Otrzymane wyniki zastosowano do reinterpretacji wyników badań ruchliwości w warstwach DLC.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2012, 33; 5-17
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The origin of the interaction responsible for the difference of hole mobility of two derivatives of anthracene
Źródło powstania oddziaływań odpowiedzialnych za różnice ruchliwości dwu pochodnych antracenu
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Sikorski, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296681.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
anthrone
anthraquinone
DFT calculations
mobility
antron
antrachinon
obliczenia DFT
ruchliwość
Opis:
Hole mobility of the layers built from two anthracene derivatives differing in the substitution of the central benzene ring, i.e. anthrone substituted with only one keto group and anthraquinone substituted with two keto groups differs by one order of magnitude despite the fact that both have almost identical crystal structure. We ascribe this difference to existence of an additional intermolecular interaction arising in the layer of anthrone.
Wykazano, w przypadku antronu i antrachinonu będących pochodnymi antracenu podstawionego w środkowym pierścieniu jedną lub dwiema grupami ketonowymi obserwuje się jedynie małe i prawie identyczne zmiany aromatycznej energii stabilizacji (w zakresie 1%). Oba rozpatrywane związki mają prawie identyczną strukturę krystaliczną. Jednakże ruchliwość dziur w antronie jest o jeden rząd wyższa niż w antrachinonie, niezależnie, czy jest badana w warstwach amorficznych, quasi-amorficznych czy też krystalicznych. Dlatego też jedynym źródłem obserwowanej doświadczalnie różnicy ruchliwości nośników ładunku może być obecność dużego momentu dipolowego cząsteczki antronu w porównaniu do małej wartości momentu dipolowego cząsteczki antrachinonu.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2018, 39; 27-35
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron drift mobility in amorphous anthrone layers
Ruchliwość dryftowa elektronów w amorficznych warstwach antronu
Autorzy:
Kania, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296490.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
ruchliwość elektronów
transport nośników ładunku
antron bezpostaciowy
electron mobility
carrier transport
amorphous anthrone
Opis:
There were investigated the magnitude of the mobility and the type of the mechanism of the electron transport in the amorphous anthrone layers Enthrone (C14H10O) is the molecular crystal. The anthrone molecules due to theirs asymmetry posses permanent dipole moment, µ = 1.22 10-29 Cm. The anthrone samples were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with lower substrate temperatures. Structural examination of the obtained anthrone layers was made using X - ray diffraction. In order to attain that one employed an automatic diffractometer DAR. Drift electron mobility for obtained amorphous layers were determined with TOP method. Obtained results shows the almost lack of the mobility dependence due to the magnitude of the disorder, although the other results should be expected. Either obtained mobility value , less then 10-2 cm2/Vs and activation energy value on the kT level do not permit state unambiguously if we are here with hopping transport mechanism, or with the band transport with participation of the trapping states.
Badano proces transportu elektronów w warstwach. Uzyskane wyniki nie przesądzają jednoznacznie z jakim rodzajem transportu mamy do czynienia. Uzyskane wyniki mogą sugerować występowanie zarówno transportu hoppingowego, jak i transportu w paśmie z udziałem pułapek.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2009, 30; 65-72
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Conductivity due to active collisions channel of adsorption of ethanol to thin layer of acenes
Przewodnictwo zależne od kanału zderzeń aktywnych w adsorpcji etanolu do cienkich warstw acenów
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296432.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
materiały polikrystaliczne
warstwa tetracenu
warstwa p-kwaterfenylu
proces aktywacji
ruchliwość elektronów
ruchliwość dziur
transport nośników ładunku
polycrystalline
tetracene films
p-quaterphenyl films
activation process
electron mobility
hole mobility
carrier transport
Opis:
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggests influence of collisions as a source of injection of the charge through surface potential barrier of adsorption.
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu i p-kwaterfenylu. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora sugeruje wzrost natężenia prądu związanego z adsorpcją jako wynik procesów dwuciałowych zderzeń z wstrzykiwaniem nośników ładunku do warstwy. Uzyskane wartości potwierdzają wyniki dla badanych związków uzyskane przy założeniu hoppingowego mechanizmu przewodzenia opisanego w [3, 4].
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2012, 33; 65-72
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparative study of the influence of the reorganization energy on the hole transport of two four-cyclic arenes
Studium porównawcze wpływu energii reorganizacji na przewodnictwo dziur dwu czteropierścieniowych arenów
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Sikorski, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296624.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
reorganization energy
tetracene
p-quaterphenyl
carrier mobility
energia reorganizacji
tetracen
p-kwaterfenyl
ruchliwość nośników ładunku
Opis:
Application of the method of quantum-mechanical calculations allowed the determination of the reorganization energy of the molecules of tetracene and p-quaterphenyl and the estimation of the transfer rate integral between neighbouring molecules present in the solid state. Comparison of the transfer rates for holes with the values of the mobility, obtained experimentally for the polycrystalline tetracene layers and p-quaterphenyl layers vaporized in the vacuum in the similar conditions indicate that the molecule’s structure possess the dominate impact on the conductivity of the thin layers of these compounds.
Zastosowanie metody obliczeń kwantowo-mechanicznych pozwoliło na wyznaczenie energii reorganizacji cząsteczek tetracenu i p-kwaterfenylu oraz oszacowanie wartości całki przenoszenia elektronu pomiędzy sąsiadującymi cząsteczkami znajdującymi się w fazie stałej. Porównanie szybkości przenoszenia dziur z wartościami ruchliwości dziur w polikrystalicznych warstwach tetracenu i p-kwaterfenylu naparowanych w próżni w identyczny sposób wskazuje na dominujący wpływ budowy cząsteczki na przewodnictwo cienkich warstw tych związków.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2017, 38; 37-44
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The effect of the dipole moment on hole conductivity of polycrystalline films of two anthracene derivatives
Wpływ momentu dipolowego na przewodnictwo dziur w warstwach polikrystalicznych dwu pochodnych antracenu
Autorzy:
Kania, S.
Kościelniak-Mucha, B.
Kuliński, J.
Słoma, P.
Wojciechowski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296414.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
charge carrier mobility
reorganization energy
transfer integral
anthrone
anthraquinone
TD-DFT
hole drift mobility
carrier transport
dipole moment
polycrystalline films
ruchliwość nośników ładunku
energia reorganizacji
antron
antrachinon
dryftowa ruchliwość dziur
transport nośników ładunku
moment dipolowy
warstwy polikrystaliczne
Opis:
Hole mobility in the polycrystalline layers of anthrone and anthraquinone differs in one order of magnitude in spite of nearly the same crystalline structure. The origin of this difference was determined with use of the quantum-mechanical calculations carried out at the density functional theory level using the B3lYP functional in conjunction with the 6-311++G(d,p) basis set. Based on theses calculations, we suppose that these difference can result from the presence of the dipol moment in the anthrone molecules.
Ruchliwości dziur w polikrystalicznych warstwach antronu i antrachinonu różnią się prawie o jeden rząd wielkości, pomimo niemal tej samej struktury krystalicznej. Źródło tej różnicy próbowano określić przy użyciu obliczeń kwantowo-mechanicznych przeprowadzonych na poziomie teorii funkcjonału gęstości (DFT) z wykorzystaniem funkcjonału B3LYP, stosując funkcje bazy 6-311++G(d,p). Na podstawie tych obliczeń przypuszczamy, że ta różnica jest wynikiem obecności momentu dipolowego w cząsteczkach antronu.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2017, 38; 27-36
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron drift mobility in amorphous antrachinone layers
Ruchliwość dryftowa elektronów w amorficznych warstwach antrachinonu
Autorzy:
Kania, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296452.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
amorficzne warstwy antrachinonu
ruchliwość dryftowa elektronów
transport nośników ładunku
amorphous antrachinone films
electron drift mobility
carrier transport
Opis:
There were investigated the magnitude of the mobility and the type of the mechanism of the electron transport in the amorphous antrachinone layers. Antrachinone (C14H8O2) is the molecular crystal. The antrachinone molecules are planar, centrosymmetric and posses permanent dipole moment practically equal zero. The antrachinone layerss were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with reduced substrate temperatures. Structural examination of the obtained antrachinone layers was made using X - ray diffraction. In order to attain that one employed an automatic diffractometer DAR. Drift electron mobility for obtained amorphous layers were determined with TOP method. Obtained mobility value, were less then 10-3 cm2 /Vs and activation energy value was on the kT level.
Badano proces transportu elektronów w amorficznych warstwach antrachinonu. Uzyskane wyniki nie przesądzają jednoznacznie, z jakim rodzajem transportu mamy do czynienia. Niemniej uzyskane wyniki mogą sugerować występowanie również transportu hoppingowego, który wydaje się bardziej prawdopodobny, niż transport w paśmie z udziałem pułapek.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2010, 31; 43-50
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Charge carrier conductivity mechanism for activated tetracene layers
Mechanizm przewodnictwa ładunku w aktywowanych warstwach tetracenu
Autorzy:
Kania, S.
Kuliński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296528.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
warstwa tetracenu
proces aktywacji
ruchliwość elektronów
transport nośników ładunku
tetracene films
polycrystalline
activation process
electron mobility
carrier transport
Opis:
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers is considered. Obtained results may suggests the hopping transport through the localized states near the Fermi level as a dominant kind of transport. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggest some ability to utilize.
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu. Uzyskane wyniki zdaj się sugerować, że mamy tu do czynienia, z jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2008, 29; 45-56
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Charge carrier mobility in non-equilibrated transport in molecular materials
Ruchliwość nośników ładunku w przewodnictwie nierównowagowym materiałów molekularnych
Autorzy:
Kania, Sylwester
Kościelniak-Mucha, Barbara
Kuliński, Janusz
Słoma, Piotr
Wojciechowski, Krzysztof
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/952824.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
charge transfer mobility
photocurrent
hopping transport
Marcus-Hush theory
ruchliwość nośników ładunku
fotoprąd
transport hoppingowy
teoria Marcusa-Husha
Opis:
Non-equilibrated transport of charge carriers in the molecular material depends on the structure and packing of the molecules. Explanation of the measurements of the photocurrent generated with use of UV flash light in organic layer needs to define the quantity of charge carriers mobility. Definition of this quantity in the scope of some defined transport model requires the detailed analysis of generation, recombination and charge transfer between neighbouring molecules. The problem is discuss on the basis of transport properties of two anthracene derivatives.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2019, 40; 37-46
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hole drift mobility in antrachinon layers
Ruchliwość dziur w warstwach antrachinonu
Autorzy:
Kania, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296559.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
polikrystaliczne i quasi-amorficzne warstwy antrachinonu
ruchliwość dziur
mechanizm transportu
polycrystalline and quasi-amorphous antrochinone films
hole drift mobility
carrier transport
Opis:
The drift mobility of holes in the antrachinon layers were determined. The layers were evaporated in the vacuum of the order of 10 -5 Torr. Due to the substrate temperature the layers were in the structure polycrystalline or the quasi-amorphous. There were no obtained the effect of the layers structure on the magnitude of the mobility of the carriers and on the transport mechanism.
Badano ruchliwość dziur w polikrystalicznych i quasi-amorficznych warstwach antrachinonu. Określono typową dla acenów o takim stanie nieuporządkowania wartość ruchliwości. Na podstawie uzyskanych rezultatów nie można jednoznacznie określić z jakim mechanizmem transportu mamy do czynienia. Nie stwierdzono na tym poziomie nieuporządkowania wpływu struktury na mechanizm transportu, choć można się było tego spodziewać
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2007, 28; 27-32
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hole drift mobility in anthrone and antrachinone layers
Dryftowa ruchliwość dziur w warstwach antronu i antrachinonu
Autorzy:
Kania, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296437.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
polikrystaliczne warstwy antronu
polikrystaliczne warstwy antrachinonu
ruchliwość dziur
transport nośników ładunku
polycrystalline anthrone films
polycrystalline antrachinone films
hole drift mobility
carrier transport
Opis:
Drift mobility of holes in antrachinone and anthrone polycrystalline thin films evaporated in the vacuum of the order of 10-5 Torr was measured with time-of-flight- method. The one order difference in mobility values for both -four ring acenes purified with zone melting before vaporization and identical in crystallization structure but with different molecule symmetry may have the origin in the presence of the difference in permanent dipole moment for both molecules.
Badano proces transportu dziur w polikrystalicznych warstwach antronu i antrachinonu. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. Obydwa związki z punktu widzenia krystalograficznego posiadają prawie jednakową strukturę układu jednoskośnego o prawie identycznych stałych sieciowych i prawie identycznym kącie β. W przypadku antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano prawie o rząd większą wartość ruchliwości niż dla antrachinonu. Dla obu związków uzyskano wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs z energią aktywacji ruchliwości rzędu kT. Wielkości te mogą przemawiać za transportem hoppingowym, nie mniej dopiero badanie mechanizmu transportu z uwzględnieniem zmiany struktury warstw może w pełni zweryfikować hipotezę. Na podstawie badań wydaje się, że moment dipolowy cząsteczek, mimo identycznej struktury kryształu, może mieć wpływ na wielkość ruchliwości nośników ładunku.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2012, 33; 55-63
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron drift mobility in anthrone layers
Dryftowa ruchliwość elektronów w warstwach antronu
Autorzy:
Kania, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296418.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
quasi-amorficzne warstwy antronu
polikrystaliczne warstwy antronu
ruchliwość dryftowa elektronów
transport nośników ładunku
quasi-amorphous anthrone films
polycrystalline anthrone films
electron drift mobility
carrier transport
Opis:
There were investigated the magnitude of the mobility and the Type of the mechanism of the electron transport in the anthrone layers with a different grade of the structural order, namely in polycrystalline and quasi-amorphous layers. The anthron samples were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with different substrate temperatures and with different evaporation rates. Structural examination of the obtained anthrone layers was made using X-ray diffraction. Drift electron mobility for obtained polycrystalline and quasi amorphous layers were determined with TOP method. Obtained results show the almost lack of the mobility dependence due to the magnitude of the disorder, although the other results should be expected. Both obtained mobility values, were less then 10-2 cm2/Vs and activation energy value on the kT level but simultaneously estimated density of hopping states was relatively big. In this case it does not permit us to indicate the dominant transport mechanism.
Badano proces transportu elektronów w warstwach antronu o różnym stopniu uporządkowania, to jest w warstwach polikrystalicznych i quasi-amorficznych. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. W przypadku antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano, że prawie nie występuje zależność ruchliwości od stopnia uporządkowania. Dla obu struktur uzyskano wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs, z energią aktywacji ruchliwości rzędu kT. Mimo iż wielkości te przemawiają za transportem hoppingowym, to wydaje się, że otrzymane wartości gęstości stanów są na tyle duże, że należy się zastanowić, czy faktycznie mamy do czynienia z transportem przeskokowym w wąskim paśmie w pobliżu poziomu Fermiego. Poza tym nie obserwujemy wpływu struktury krystalicznej warstw na wielkość ruchliwości, chyba, że dla polikrystalicznych warstw gęstość stanów jest na tyle duża, że nie należy spodziewać się jej wzrostu. Powyższe skłania nas do stwierdzenia, że nie można jednoznacznie określić, z jakim rodzajem transportu dla elektronów mamy tu do czynienia.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2011, 32; 13-22
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The effect of symmetry of a molecule electronic density on the dipolemoment of unit cell and hole conductivity of thin polycrystalline films of anthrone and anthraquinone
Wpływ symetrii rozkładu elektronowego cząsteczki na moment dipolowy komórki elementarnej i przewodnictwo cienkich warstw polikrystalicznego antronu i antrachinonu
Autorzy:
Kania, S.
Kościelniak-Mucha, B.
Kuliński, J.
Słoma, P.
Wojciechowski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296504.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
anthrone
anthraquinone
TD-DFT
hole drift mobility
carrier transport
dipole moment
polycrystalline films
antron
antrachinon
dryftowa ruchliwość dziur
transport nośników ładunku
moment dipolowy
warstwy polikrystaliczne
Opis:
The electronic structure of anthrone and anthraquinone molecules in the gas state and in the simulated crystal unit cell were calculated with time dependent-density functional theory (TD-DFT) method. The values of dipole moment of single molecule and of single crystal unit cell were also determined with TD-DFT method. The results of TD-DFT were compared with known crystal structures of both compounds [1,2]. For both molecules it was observed improvement of matching the length of corresponding bonds when calculated for the unit cell. Unexpectedly high value of dipole moment was calculated for the single unit cell of anthrone. This fact can be responsible for the nano-dimension properties of anthrone as the carriers mobility or high boiling point.
Metodą TD-DFT obliczono strukturę elektronową cząsteczek oraz wartości momentu dipolowego komórek elementarnych dla antronu i antrachinonu. Zaobserwowano wpływ pola krystalicznego na zmianę długości wiązań w szkielecie antracenowym, który to obliczono metodą TD-DFT dla cząsteczek obu związków w fazie krystalicznej. Doświadczalnie określono wpływ obecności momentu dipolowego komórki elementarnej na ruchliwość dryftową nośników ładunków dla dwu aromatycznych związków wielopierścieniowych, antronu i antrachinonu krystalizujących w podobnej sieci krystalicznej C2h5(P21/a), ale różniących się symetrią cząsteczki. W przypadku antronu, posiadającego niecentrosymetryczne cząsteczki, okazało się, że własności tego materiału są związane z jego rozmiarami. Mikroskopowe oddziaływania mające swoje odzwierciedlenie zarówno w wyznaczonej eksperymentalnie bardzo wysokiej temperaturze wrzenia, jak i w wynikach obliczeń momentu dipolowego pojedynczej komórki elementarnej antronu są związane z możliwością zwiększenia aromatyczności cząsteczek tego związku w fazie stałej. Wydaje się, że jest to przyczyną zwiększonej ruchliwości dziur w przypadku antronu w porównaniu do ruchliwości dziur w antrachinonie (o cząsteczkach centrosymetrycznych).
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2016, 37; 49-64
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 21

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies