Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "SiC MOSFET" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Computer aided design of snubber circuit for DC/DC converter with SiC power MOSFET devices
Autorzy:
Niewiara, Ł.
Skiwski, M.
Tarczewski, T.
Grzesiak, L. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378069.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
DC\DC converter
snubber circuit
SiC MOSFET
Opis:
In this paper a computer aided design of snubber circuit for DC\DC converter is presented. Due to the presence of parasitic LC circuit in the power stage (inductance and capacitance), it is necessary to use an additional snubber circuit for voltage overshoot and oscillations reduction. A simulation model of the converter with parasitic circuit was designed. Three types of snubber circuits (C, RC, RCD) were investigated in simulation tests. Simulation model of the proposed system has been investigated in Matlab/Simulink/PLECS environment. Input signal parameters like voltage overshoot, rise time, fall time were compared for considered snubber circuits. Experimental tests were carried out for the best simulation result. It confirm the proper choice of snubber circuit.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2015, 84; 77-83
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies