Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "thermal parameters" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Termograficzne pomiary okładzin ciernych hamulców
    Thermographics measurements of brake pad lining
    Autorzy:
    Piątkowski, T.
    Polakowski, H.
    Jachimowicz, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/155824.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    tarcie
    parametry cieplne
    termografia
    emisyjność
    friction
    thermal parameters
    thermography
    emissivity
    Opis:
    Opracowanie nowej generacji hamulców wymaga wykonania pomiarów rozkładów temperatury na powierzchniach jego elementów konstrukcyjnych. W pracy przedstawiono wybrane wyniki takich badań metodami termograficznymi. W rezultacie tych badań określono obszary o podwyższonej temperaturze, temperaturę maksymalną oraz szybkość zmian temperatury. Porównano otrzymane wyniki z pomiarami metodą stykową. Dane otrzymane w wyniku analizy termogramów pozwolą na weryfikację modelu numerycznego hamulca.
    Braking process has rather short duration (5s÷15s) and during that time the kinetic energy of a vehicle is transformed into heat. Such amount of heat generates thermal shock to braking pads and discs. Development of a new type of brakes requires measuring temperature distributions on their working surfaces. The paper presents some selected results of such measurements performed on a modified IL-68 test rig by means of thermal imaging (Fig. 2). Two types of composite braking pad materials were tested: C/C and 500/EBC. C/C composite is used for aircraft brakes, whereas 500/EBC type is used for brakes of all-terrain ground vehicles. Due to high dynamics of the thermal signal, the measurements were taken in the range from 200?C to 750?C. The data from the thermal images were processed using IR Control software. As a result there were identified the high temperature areas (hot spots), maximum temperature values for each recorded frame and the rate of temperature changes during braking (Fig. 5) as well as cooling down (Fig. 6) phases. The frame-by-frame analysis of the recorded thermal image sequences made it possible to correlate the temperature distribution non-uniformity with structural defects of the tested brake pads. The results of temperature measurements were compared with those obtained from the contact method (Fig. 7). On that basis, the errors of non-contact temperature measurements were estimated. The analysis of the recorded thermal images allowed calculating several thermal parameters, such as thermal time constants of particular brake elements (1), (2). Those data were used to verify the numerical model of the brake. They also can be the guidelines to optimise the brake design with respect to heat transfer aspects.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2011, R. 57, nr 11, 11; 1285-1288
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    System do automatycznego pomiaru parametrów termicznych półprzewodnikowych przyrządów mocy
    An automatic measurement system of thermal parameters of semiconductor power devices
    Autorzy:
    Bisewski, D.
    Zarębski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/152727.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    parametry termiczne
    rezystancja termiczna
    przejściowa impedancja termiczna
    półprzewodnikowe przyrządy mocy
    thermal parameters
    thermal resistance
    transient thermal impedance
    semiconductor power devices
    Opis:
    W pracy omówiono budowę i zasadę działania autorskiego systemu do automatycznego pomiaru parametrów termicznych, w tym czasowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej półprzewodnikowych przyrządów mocy. W rozważanym systemie zaimplementowano popularną impulsową metodę pomiaru parametrów termicznych opartą na wykorzystaniu krzywej chłodzenia elementu półprzewodnikowego. Działanie systemu pomiarowego zilustrowano wynikami pomiarów parametrów termicznych wybranych półprzewodnikowych przyrządów mocy.
    Generally, manufacturers of semiconductor devices do not provide in datasheets detailed information about thermal parameters of semiconductor devices, i.e. time waveform of junction-to-ambient transient thermal impedance or dependence of junction-to-ambient thermal resistance versus dissipated power. Therefore, the designers of electronic circuits do not have reliable information about thermal properties of semiconductor devices in the designed circuit [1 - 3]. The paper discusses the construction and operation of automatic measurement system of thermal parameters, including transient thermal impedance and thermal resistance of semiconductor power devices. Block diagram of the measurement system is shown in Fig. 1. In the measurement system, the popular Rubin and Oettinger [6] pulse method for measuring thermal parameters based on the cooling curve of semiconductor device, has been implemented. For reading and archiving the results of measurements, A/D and D/A converter USB-1608GX-2AO fabricated by Measurement Computing [5], has been used. Usefulness of the measuring system is illustrated by results of measurements of thermal parameters of silicon MOSFET (IRFR420A - International Rectifier), silicon carbide MESFET (CRF24010 - Cree) and silicon carbide Schottky diode (IDT06S60C - International Rectifier). As seen in Fig. 3, the thermal resistance junction-to-ambient strongly depends on semiconductor device dissipated power. For example, the thermal resistance of MOSFET decreases about 20% with increase of the dissipated power from 0.1 W to 1 W, at constant ambient temperature. It has been shown, that realization of such measurements allows to obtain more precise information about the thermal parameters of semiconductor devices in comparison to the device catalogue data.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2014, R. 60, nr 12, 12; 1150-1153
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelowanie numeryczne i pomiary termograficzne parametrów procesu hamowania
    Numerical modeling and thermographics measurements of break phenomena parameters
    Autorzy:
    Piątkowski, T.
    Polakowski, H.
    Małachowski, J.
    Damaziak, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/154458.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    modelowanie numeryczne
    tarcie
    parametry cieplne
    termowizja
    pomiary temperatury
    numerical modeling
    friction
    thermal parameters
    thermography
    temperature measurements
    Opis:
    W pracy przedstawiono wybrane wyniki dotyczące modelowania numerycznego oraz badań termograficznych hamulców tarczowych. Do określenia w czasie rozkładu temperatur na powierzchni klocków hamulcowych wykorzystano metodę elementów skończonych. Wykonano też pomiary termograficzne zarówno tarczy hamulcowej jak i okładzin ciernych. Wykonano pomiary temperatur pary trącej zarówno w czasie procesu hamowania jak również chłodzenia hamulca. Określono rozkład temperatur w wybranych przekrojach par ciernych badanych na stanowisku pomiarowym.
    Considerable amount of heat is generated in a limited volume of the brake during vehicle braking, which results in several undesired effects, such as thermal shock, local overheating of brake elements and cooling problems. In this paper, selected results of thermal measurements of the braking process are presented, performed on the IL-68 test stand (Fig. 1.) The numerical model of this stand was also created (Fig. 2, Fig. 3) and the numerical simulations of the first 100 ms of the braking process was performed. The temperature distribution across the surface of brake pads was calculated (Fig. 4) as well as the maximal temperature values throughout simulated period. Temperature distribution in the test brake was also measured, using thermal imaging (Fig. 5). Because of the measurement range of the applied thermal camera the measurements were started 300 ms after the brake was engaged and the next 2,5 s were recorded at 1000 frames per second. Sample image from the beginning of the recorded sequence is presented in Fig.6a, whereas Fig.6b shows the breaking disc when it was stopped. The temperature changes versus time presented in Fig. 7 were obtained on the basis of frame-by-frame analysis and their character is in accordance with previously calculated, simulated values. The cooling process of the entire brake thermal node was also investigated, which is very important as after several consecutive braking cycles the heat accumulates. The temperature changes after braking depicted in Fig. 8indicate rather low cooling rate. Thermal time constants (1), (2) of thisprocess were determined. The data gathered during the analysis of thermal images will be used to verify the numerical model of the brake and will also be used as design guidelines in the optimization of brake design for improved heat transfer.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2011, R. 57, nr 10, 10; 1210-1213
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies