Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "circuit simulation" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Modelowanie obwodowe transformatora piezoelektrycznego w warunkach podwyższonych napięć i temperatur
Circuit modeling of a piezoelectric transformer under elevated voltage and temperature conditions
Autorzy:
Tomalczyk, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/154446.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
transformator piezoelektryczny
nieliniowość
modelowanie obwodowe
symulacja SPICE
piezoelectric transformer
nonlinearity
circuit modeling
SPICE simulation
Opis:
Artykuł dotyczy modelowania obwodowego transformatorów piezoelektrycznych (PT) przy napięciach i temperaturach zbliżonych do panujących w rzeczywistych warunkach ich pracy. Typowe metody modelowania PT wykorzystują obwód zastępczy o stałych parametrach wyznaczanych przy niskim napięciu i temperaturze. W artykule potwierdzony został wpływ zarówno amplitudy napięcia wejściowego, jak i temperatury, na charakterystyki przejściowe PT. Aby uwzględnić stwierdzone zależności przy modelowaniu obwodowym PT, opracowana została metoda korekcji parametrów modelu PT uwzględniająca zmiany ich wartości w funkcji temperatury i napięcia wejściowego. Metoda ta pozwala uzyskać dużo lepszą zgodność wyników symulacji obwodowych z wynikami pomiarowymi w warunkach podwyższonych napięć i temperatur.
The paper refers to circuit modeling of piezoelectric transformers (PTs) operating under elevated voltage and temperature conditions. A PT is a resonant mechanical converter of electrical energy. Its characteristics (Fig. 1) are modeled by an equivalent circuit (Fig. 2) whose parameters are typically determined under low-voltage and low-temperature conditions and remain constant regardless of the model application. This approach is possibly erroneous due to the known temperature dependency and nonlinearities of piezoelectric materials. The temperature- and voltage-dependent variation of PT model parameters (Fig. 3) was determined by means of time domain measurements, which contrary to the widely used impedance analysis, allows high input voltages. A method for correction of the model parameters was established. Furthermore, the PT transfer characteristics were measured (Figs. 4 and 5) and compared to simulation results with and without the parameter correction (Fig. 6), showing considerable improvement in modeling accuracy with the new method applied.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2011, R. 57, nr 10, 10; 1206-1209
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza rozwiązań układowych zmniejszających rezystancję przewodzenia w przełącznikach analogowych
Analysis of circuit solutions decreasing on-resistance in analog switches
Autorzy:
Szcześniak, A.
Myczuda, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/157302.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
przełącznik analogowy
układ przełączający
rezystancja przewodzenia
zmniejszenie rezystancji
symulacja przełączników analogowych
analog switch
switching circuit
on-resistance
decrease of resistance
simulation of analog switches
Opis:
W artykule przedstawiono rozwiązania układowe pozwalające na zmniejszenie rezystancji przewodzenia przełączników analogowych. Przeprowadzono symulację trzech rozwiązań układów przełączających analizując ich właściwości. Określono podstawowe parametry oraz zbadano stabilność tych układów. Dla ulepszonego układu przełączającego ze sprzężeniem zwrotnym przeprowadzono analizę matematyczną, uwzględniając pojemności pasożytnicze przełącznika i wzmacniacza operacyjnego.
This paper presents a new circuit design enabling the decrease in on-resistance of analog switches. The simulation of three switching circuit solutions was performed when analysing their properties. Basic parameters were determined and the stability of these circuits was tested. The mathematical analysis (taking into account parasitic capacitances of the analog switch and operational amplifier) was carried out for the improved switching circuit with feedback. It was found that the improved switching circuit with feedback (Fig.3) has the highest parameters in comparison with other switching circuits on transistors and operational amplifiers: resistance of the switching circuit in closed state is lower than 0.02 - switching-on time of the switching circuit is practically equal to that of a single analog switcher used in switching circuits. The proposed mathematical model reflects properly the real switching circuit, which was confirmed by the closeness of the results obtained from the model analysis and the real model simulation.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2011, R. 57, nr 3, 3; 269-273
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies