Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Konczakowska, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Zastosowanie termografii w diagnostyce i badaniach urządzeń elektronicznych
Application of infrared thermography to diagnosis and testing of electronic equipment
Autorzy:
Galla, S.
Konczakowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/153494.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
termowizja
odporność
diagnostyka
EMC
thermography
immunity
diagnostic
Opis:
Zaproponowano zastosowanie techniki termowizyjnej do oceny poprawność konstrukcji i działania urządzeń elektronicznych. Technikę termowizyjną zastosowano do badania elementów ochronnych zasilacza AC/DC w czasie standardowych badań odporności na udary oraz do badania modułów GSM pracujących pod kontrolą nadrzędnego programu sterującego i płyty głównej centrali systemu przeciwpożarowego. Pomiary termowizyjne zastosowano do oceny przyrostu temperatury ww. urządzeń.
In the paper there is proposed use of infrared thermography for assessing the validity of construction and operation of electronic devices. The most important advantages of this technique are the short time of studies and the ability of direct evaluation of results. It was found that for electronic devices it was appropriate to record infrared imagings in various states of their operation. Comparison of temperature increments from different states of operation enables validation of constructions from the heat discharge point of view. Investigations were performed for AC/DC power supplies, a GSM module, and the motherboard of a fire-fighting system using the camera VIGOcam v50. For AC/DC power supplies (Fig. 1) it was proposed to record infrared imagings during the surge immunity test (the standard EN 61000-4-5) in order to evaluate the quality of protective elements, varistors. From the imaging of the power supply immediately after the first surge (Fig. 2b) it was possible to evaluate the temperature increment on the varistor. It was stated that the accepted temperature increments on the varistor could be equal up to 30°C. The research results for the GSM module (Fig. 3) and the motherboard of the fire-fighting system (Figs. 4 and 5) are presented as imagings of the devices operating in a standby regime and with a full power. The areas with increased emission were identified. It was found that infrared thermography is very useful in the assessment of temperature distributions.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2013, R. 59, nr 4, 4; 345-348
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Metody analizy szumu telegrafistów przyrządów półprzewodnikowych
Methods of analysis of random telegraph signal noise (RTS noise) of semiconductor devices
Autorzy:
Cichosz, J.
Konczakowska, A.
Stawarz-Graczyk, B.
Szatkowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/153818.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
szum telegrafistów
metody identyfikacji szumu telegrafistów
przetwarzanie cyfrowe szumu
random telegraph noise signal
methods of RTS noise identification
digital processing of noise
Opis:
Scharakteryzowano szum telegrafistów (Random Telegraph Signal - RTS), który może występować w szumie własnym przyrządów półprzewodnikowych, jako składowa niegaussowska. Podkreślono, że szum telegrafistów jest efektem defektów materiałów zastosowanych w produkcji przyrządów półprzewodnikowych lub nieprawidłowości procesu produkcyjnego. Przedstawiono metody identyfikacji wielopoziomowego szumu telegrafistów, na przykładzie przebiegów szumów własnych przyrządów półprzewodnikowych.
The Random Telegraph Signal noise which can occur in inherent noise of semiconductor devices as a non-Gaussian component is characterized. It was emphasized that the RTS noise is caused by defects of applied materials or manufacturing incorrectness. The methods of identification of multilevel RTS noise in an inherent noise of semiconductor devices are presented.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2008, R. 54, nr 3, 3; 91-94
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies