Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Xu-Zhao" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Research on the X-ray wavelength division multiplexing technology for blackout region communication
Autorzy:
Li, Yao
Su, Tong
Sheng, Lizhi
Xu, Neng
Zhao, Baosheng
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1835966.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
X-ray communication
plasma sheath
wavelength division multiplexing
Opis:
After the concept of X-ray communication was proposed, its application in complex electromagnetic environment has received more attention, such as data transmission in re-enter special electro-magnetic condition. In this article, a new type of X-ray source was introduced firstly, which was expected to generate multiple characteristic lines and achieve wavelength division multiplexing technology in X-ray band. Then an experimental platform was built for analyzing transmission characteristics of X-ray photon in various plasma media. Finally, the calculation model for a link power equation was given. Experiment results show that transmittance of 8–18 keV X-ray signal is relatively stable, atomic numbers from 29 to 42 are the most suitable materials for wavelength division multiplexing, the X-ray communication system is expected to realize about 200 kbps data transmission rate in adjacent space.
Źródło:
Optica Applicata; 2020, 50, 4; 619-632
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Polarization dependence of patterning effects in quantum well semiconductor optical amplifier-based wavelength conversion
Autorzy:
Qin, C
Shen, W
Zhao, J.
Yu, H.
Xu, E
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173469.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
semiconductor optical amplifiers
polarization
patterning effect
Opis:
In this paper, polarization dependence of patterning effects in quantum well semiconductor optical amplifier-based wavelength conversion is experimentally and theoretically investigated. The carrier and photon density rate equations are numerically solved by using the time-domain traveling wave model. The material gain calculation, including the strain effect in the active layer, is based on the k·p method. By comparing experimental and computational results, it is demonstrated that the polarization of the injection signal has a significant influence on the gain recovery time of quantum well semiconductor optical amplifier. Under the cross-polarized signals injection, the output signals suffer the weakest and strongest patterning effects both for unstrained and tensile strained quantum well semiconductor optical amplifiers.
Źródło:
Optica Applicata; 2015, 45, 2; 163-172
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies