Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "thermal diffusion" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Numerical study on extraction of tritium generated in HMR by way of system composed of EXEL-process and thermal diffusion column cascade
Autorzy:
Shimizu, M.
Takeshita, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146995.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
chemical exchange reaction
heavy water
isotope separation
thermal diffusion
trickel-bed reactor
tritium
Opis:
A new tritium extraction system composed of a trickle-bed hydrogen/water isotopic exchange column using a hydrophobic Pt-catalyst combined with an SPE-water electrolyser (EXEL-process) and a thermal diffusion column cascade was proposed for the removal of tritium from heavy water irradiated in HMR ((Heavy Water Moderated Power Reactor), volume of heavy water = 140 m3 and mean neutron flux = 5×1013 n/cm2s). Numerical study on the extraction of tritium from the heavy water was carried out and the dimensions of proposed system were determined under the conditions that the concentration of tritium in the heavy water was kept less than 2.5 Ci/lHW. The calculation results indicated that the proposed system was designed practically.
Źródło:
Nukleonika; 2002, 47,suppl.1; 89-93
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Peculiarities of neutron interaction with boron containing semiconductors
Autorzy:
Didyk, A. Y.
Hofman, A.
Szteke, W.
Hajewska, E.
Vlasukova, L. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/148104.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
semiconductors
thermal neutrons
point defects
vacancies
damage concentration
thermal neutron fluence
cross-section of damage creation
fission fragments
lithium
helium
alfa-particles
diffusion of impurities
homogeneity of damage and active impurities
Opis:
Abstract. The results of point defect creation calculation in B4C, BN and BP semiconductor single crystals irradiated in the fast neutron reactor IBR-2 are presented. It has been shown that during the thermal neutron interaction with light isotope boron atoms (10B) the damage creation by means of fission nuclear reaction fragments (alfa-particles and 7Li recoil nuclei) exceeds the damage created by fast neutrons (En greater than 0.1 MeV) by more than two orders of value. It has been concluded that such irradiation can create a well developed radiation defect structure in boron-containing crystals with nearly homogeneous vacancy depth distribution. This may be used in technological applications for more effective diffusion of impurities implanted at low energies or deposited onto the semiconductor surface. The developed homogeneous vacancy structure is very suitable for the radiation enhanced diffusion of electrically charged or neutral impurities from the surface into the technological depth of semiconductor devices under post irradiation treatment.
Źródło:
Nukleonika; 2009, 54, 3; 163-168
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies