Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "FET" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    FET input voltage amplifier for low frequency noise measurements
    Autorzy:
    Achtenberg, Krzysztof
    Mikołajczyk, Janusz
    Bielecki, Zbigniew
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/221854.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    low noise amplifier
    low frequency noise measurements
    field effect transistors
    FET voltage noise
    FET input amplifier
    Opis:
    The paper presents a low noise voltage FET amplifier for low frequency noise measurements. It was built using two stages of an op amp trans impedance amplifier. To reduce voltage noise, eight-paralleled low noise discrete JFETs were used in the first stage. The designed amplifier was then compared to commercial ones. Its measured value of voltage noise spectral density is around 24 nV/√Hz, 3 nV/√Hz, 0.95 nV/√Hz and 0.6 nV/√Hz at the frequency of 0.1, 1, 10 and 100 Hz, respectively. A -3dB frequency response is from ~20 mHz to ~600 kHz.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2020, 27, 3; 531-540
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hydrogen sensor based on field effect transistor with C–Pd layer
    Autorzy:
    Firek, Piotr
    Krawczyk, Sławomir
    Wronka, Halina
    Czerwosz, Elżbieta
    Szmidt, Jan
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/220688.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    FET
    C-Pd layer
    hydrogen sensor
    field effect transistor
    Opis:
    ISFET (Ion Sensitive Field Effect Transistors) microsensors are widely used for pH measurements as well as analytical and biomedical applications. At the same time, ISFET is a good candidate for testing various materials for their applications in sensitive membranes. For example, hydrogen sensitive carbonaceous films containing Pd nanocrystallites (C-Pd) make this material very interesting for sensor applications. A cost effective silicon technology was selected to fabricate n-channel transistors. The structures were coupled to specially designed double-sided PCB (Printed Circuit Board) holder. The holder enables assembly of the structure as part of an automatic stand. The last step of production of MIS structures was deposition of the C-Pd layer. The C-Pd films were fabricated by the Physical Vapor Deposition (PVD) method in which C60 and palladium acetate were evaporated. Electrical resistance of structures with C-Pd films was measured during their interaction with hydrogen. Finally, a new type of highly sensitive FET hydrogen sensor with C-Pd layer was demonstrated and characterized.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2020, 27, 2; 313-321
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies