Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Bukowska, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Influence of Ho3+ ions for quantitation of iron (Fe) in 0.1 M HCl solution using microwave plasma-atomic emission spectrometry (MP-AES)
Wpływ jonów Ho3+ na jakościowe oznaczanie żelaza w roztworze 0.1 M HCI metodą atomowej spektroskopii emisyjnej z plazmą mikrofalową (MP-AES)
Autorzy:
Stępień, M.
Bukowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/264243.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
MP-AES
ANOVA
Fe
Ho3+
Opis:
During research work in the Non-Ferrous Metals Department on AGH University of Science and Technology concerning new corrosion inhibitors for iron alloys in magnetic fields, Ho3+ ions were proposed as one of the new inhibitors. One of the methods for determining the rate of the corrosion process is determining the concentration of Fe ions in a solution. Due to the required high precision of determining the concentration of Fe ions in a solution contains Ho3+ ions with a wide range of concentrations, the influence of the matrix effect and interferences of Ho3+ ions must be known. The present work investigates the impact of Ho ions within a range of 0 to 100 mg/L for the quantitation of Fe ions in a 0.1 M HCl solution using the MP-AES method. The obtained results were analyzed using the single-factor ANOVA method. In a range of up to 40 mg/L, Ho3+ ions are not a significant factor to determining the Fe concentration by MP-AES.
W trakcie prac badawczych prowadzonych na Katedrze Fizykochemii i Metalurgii Metali Nieżelaznych na Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie dotyczących nowych inhibitorów korozji stopów żelaza w polu magnetycznym, jako jeden z nowych inhibitorów zaproponowano jony Ho. Jedną z metod określenia postępów procesu korozji było oznaczenie stężenia jonów Fe w roztworze metodą atomowej spektroskopii emisyjnej w plazmie mikrofalowej (MP-AES). Z uwagi na wymaganą wysoką precyzję określenia niewielkiej zawartości jonów Fe w roztworach o różnej zawartości jonów Ho konieczne stało się zbadanie, czy obecność jonów Ho wpływa istotnie na ocenę ilościową jonów Fe metodą MP-AES. W niniejszej pracy zbadano wpływ stężenia jonów Ho w zakresie stężeń od 0 do 100 mg/l na oznaczenie zawartości Fe w 0,1 M kwasie solnym. Uzyskane wyniki poddano analizie statystycznej z wykorzystaniem metody ANOVA. W zakresie stężeń jonów Ho w analicie do 40 mg/L nie wykazano istotnego wpływu na oznaczenie żelaza na poziomie ufności 95%.
Źródło:
Metallurgy and Foundry Engineering; 2018, 44, 3; 109-117
1230-2325
2300-8377
Pojawia się w:
Metallurgy and Foundry Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Impact of selected parameters on extraction of indium from LCD screens
Wpływ wybranych parametrów na proces ługowania indu z ekranów LCD
Autorzy:
Stępień, M.
Palimąka, P.
Bukowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/263803.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
indium
ITO
LCD panels
recycling
ind
panele LCD
recykling
Opis:
Due to the minute availability of indium and its crucial importance to the world economy, it is necessary to find alternative sources of this metal. As a large proportion of indium production is consumed for the purpose of LCD screen manufacturing, it seems reasonable to investigate their recycling leading to the recovery of this metal. The present work investigates the impact of time, temperature, and the concentration of sulfuric acid on the effectiveness of indium extraction from milled LCD panel glass scrap originating from portable computers manufactured between 2005 and 2012. The conclusion of our research defines the optimal conditions for extraction.
Ze względu na niewielkie zasoby indu i jego kluczowe znaczenie dla gospodarki światowej konieczne jest poszukiwanie alternatywnych zasobów tego metalu. Ponieważ ind wykorzystywany jest głównie w produkcji ekranów w technologii LCD, racjonalny wydaje się ich recykling w kierunku odzysku tego pierwiastka. W niniejszej pracy zbadano wpływ czasu, temperatury oraz stężenia kwasu siarkowego na efektywność ługowania indu ze zmielonej frakcji szklanej paneli LCD pochodzących z komputerów przenośnych z lat 2005–2012. W wyniku badań określono optymalne warunki ługowania.
Źródło:
Metallurgy and Foundry Engineering; 2017, 43, 4; 305-311
1230-2325
2300-8377
Pojawia się w:
Metallurgy and Foundry Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies