Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "wafers" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Badanie mikroporowatości polerowanej powierzchni płytek krzemowych w celu dostosowania sposobu ich wytwarzania do nowych wymagań jakościowych
Study of micro-roughness of the polished surface of silicon wafers aimed at fulfilling the new quality requirements
Autorzy:
Piątkowski, B.
Szymański, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192435.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
płytki krzemowe
mikrochropowatość powierzchni
silicon wafers
surface micro-roughness
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki badań nad uzyskaniem powierzchni polerowanych płytek krzemowych (silicon polished wafers) o mikrochropowatości micro-roughness) mniejszej od 4 Å. Dla osiągnięcia odpowiedniej gładkości konieczne było wykonanie badań nad procesami polerowania na tkaninach polerskich (polishing pads) nowej generacji z zastosowaniem nowych środków polerskich (polishing slurries). Do badań wytypowano tkaniny (polishing pads) firm Rodel o symbolach regular, SPM 1300, firmy TK o symbolu poretex oraz firmy Fujimi Surfin 000. Do polerowania stosowano środki polerskie Firmy Nalco o symbolach LS, 8020 oraz 2354. W wyniku badań przeprowadzonych przy zastosowaniu nowych materiałów opracowano technologię zapewniającą odpowiednią gładkość powierzchni polerowanych płytek krzemowych.
This paper presents the results of research directed toward achieving a polished surface of silicon wafers that would have micro-roughness lower than 4 Å. In order to obtain the required smoothness it was necessary to carry out research on the process of polishing on new generation polishing pads with the use of new polishing slurries. The polishing pads chosen for the research were produced by Rodel ("regular", SPM 1300), TK ("poretex") and Fujimi (Surfin 000). The polishing slurries were made by Nalco (LS, 8020 and 2354). As a result of the research, for the purpose of which the above mentioned new generation materials were used, we have worked out a technology that ensures the required surface smoothness of the polished silicon wafers.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 2, 2; 28-33
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pomiar długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni płytek Si za pomocą HR XRR
Measurement of long range surface flatness deviation of Si wafers by means of HR XRR method
Autorzy:
Mazur, K.
Sass, J.
Surma, B.
Piątkowski, B.
Wnuk, A.
Gładki, A.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192401.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
płytka Si
reflektrometria rentgenowska
Si wafers
X-Ray reflectrometry
Opis:
Opracowano metodę oszacowania stopnia długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni za pomocą rentgenowskiej metody reflektometrycznej XRR w układzie niezwierciadlanym (non - specular). Otrzymane wyniki dla ośmiu płytek krzemowych o zróżnicowanej grubości porównano z wynikami uzyskanymi za pomocą innych metod: (1) optycznej (w przypadku próbek grubości < 200 μm), (2) z wykorzystaniem stykowego miernika grubości (TSK) (dla próbek o grubości > 200 μm). Pomimo różnych założeń dla porównywanych metod uzyskano wystarczająco dobrą zgodność wyników co świadczy o użyteczności opracowanej metody.
The adaptation of the non-specular X-ray reflectivity method to control the long range random deviation of the surface flatness were done. The results obtained for eight Si samples were compared with the ones obtained (1) by optical method (for the samples < 200 μm in thickness), (2) by contact thickness gage (TSK) measurements, (for samples > 200 m in thickness). Despite of the rather rough assumptions made for compared methods, a sufficiently good conformity has been obtained. This is important conclusion confirms the usefulness of the proposed X-ray method
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 5-22
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies