Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "ogniwo słoneczne" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Influence of material properties on parameters of silicon solar cells
    Wpływ właściwości materiałowych na parametry eksploatacyjne krzemowych ogniw słonecznych
    Autorzy:
    Swatowska, B.
    Stapiński, T.
    Całko, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192308.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    ogniwo słoneczne
    ARC
    silicon solar cell
    Opis:
    Multicrystalline and monocrystalline silicon solar cells are the most popular for commercial applications. Numerous material parameters could affect solar cell performance. The application of antireflective coatings of amorphous silicon based alloys can increase device efficiency. Such coatings due to tunable energy gap and refractive index and non-expensive fabrication method - Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition at 13.56 MHz are good candidates for large scale application. The authors presented the influence of material properties of bulk cell on solar cell efficiency by the use of computer PC-ID simulation program, which solves the fully coupled nonlinear equations for the quasi-one-dimensional transport of electrons and holes in crystalline devices, with emphasis on photovoltaic devices. The temperature, series and shunt resistance, recombination velocity and wafer thickness have the influence on current--voltage photo-characteristics of solar cells and their efficiency. Also the influence of thickness, reflective coefficient and refractive index of antireflective coatings on solar cells performance was examined. The optimal parameters of efficient solar cell were determined.
    Światowa produkcja ogniw słonecznych opiera się przede wszystkim na krzemie mono- i multikrystalicznym. Właściwości materiałowe istotnie wpływają na jakość, a przede wszystkim na ich parametry użytkowe. Wydatny wzrost sprawności ogniw można uzyskać poprzez zastosowanie warstw ARC. Tego typu powłoki, z możliwością optymalizacji współczynnika załamania oraz przerwy optycznej, można otrzymywać metodami Chemicznego Osadzania z Fazy Gazowej (RFCVD - Radio Frequency Chemical Vapour Depositiori). Autorzy zbadali wpływ właściwości materiałowych na sprawność ogniw korzystając z metody numerycznej - program PC-1D. Program umożliwia wyznaczenie końcowych parametrów ogniw z uwzględnieniem zarówno stałych materiałowych podłoża, jak i elementów modyfikujących to ogniwo. Na kształt charakterystyki prądowo-napięciowej I-V (model dwudiodowy) i sprawność ogniwa mają wpływ: temperatura, rezystancja szeregowa i zwierająca, szybkość rekombinacji oraz grubość podłoża. W przypadku warstw antyrefleksyjnych, decydujące są: grubość, współczynnik załamania oraz współczynnik odbicia. Program symulacyjny pozwolił określić optymalne parametry wydajnych ogniw słonecznych na bazie krzemu, z uwzględnieniem bardzo istotnego wpływu warstw ARC.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 114-123
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The main properties of amorphous antireflective coating for silicon solar cells
    Najważniejsze właściwości amorficznych warstw antyrefleksyjnych (ARC) do zastosowań w krzemowych ogniwach słonecznych
    Autorzy:
    Swatowska, B.
    Stapiński, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192020.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    warstwa antyrefleksyjna
    krzemowe ogniwo słoneczne
    antireflective coating
    silicon solar cells
    Opis:
    Modification of solar cells by the use of antireflective coating (ARC) is very important for their final properties. Last time more frequently hydrogenated amorphous materials, for example silicon-nitrogen (a-Si:N:H) and silicon-carbon (a-Si:C:H), were applied as ARC on silicon solar cells. The authors developed the Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition Method (RF PECVD) for preparation this films for potential optoelectronic applications. To obtain a-Si:N:H and a-Si:C:H films the gaseous mixtures SiH4+CH4 and SiH4+NH3 were used. On base of optical and structural research the main properties of amorphous films like: refractive index, reflection coefficient, thickness and hydrogen bondings content were found. Film structure was determined by the use Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR) and morphology was determined using a Scanning Electron Microscopy (SEM). The silicon substrates for solar cell constructions with discussed ARC revealed a considerable decrease in reflection coefficient. The results indicated that a-Si:N:H and a-Si:C: H are promising materials for improvement of solar cells efficiency.
    Modyfikowanie ogniw słonecznych z użyciem warstw antyrefleksyjnych (ARC - antireflective coating) jest bardzo ważnym procesem w aspekcie ich finalnych właściwości. W ostatnich latach coraz częściej stosuje się jako pokrycia antyrefleksyjne amorficzne warstwy uwodornione, np. warstwy a-Si:C:H lub a-Si:N:H. Do wytwarzania takich warstw autorzy wybrali metodę Chemicznego Osadzania z Fazy Gazowej, wspomaganego falami radiowymi (RFCYD - Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Yapour Deposition). W procesie otrzymywania warstw a-Si:C:H i a-Si:N:H zastosowano następujące mieszaniny gazowe: SiH4+CH4 oraz SiH4+NH3. Na podstawie optycznych i strukturalnych badań określono najważniejsze właściwości warstw antyrefleksyjnych: współczynnik załamania, współczynnik odbicia, grubość oraz rodzaj i koncentrację wiązań wodorowych. Struktura warstw była badana przy użyciu metody spektroskopii w podczerwieni (FTIR), a morfologia - mikroskopii skaningowej (SEM). Podłoża krzemowe do ogniw słonecznych, pokryte takimi warstwami, cechuje znaczna redukcja wartości współczynnika odbicia. Analiza charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw słonecznych, zmodyfikowanych warstwami ARC, pokazuje znaczne zwiększenie ich sprawności i parametrów prądowych. Otrzymane rezultaty wskazują, że warstwy typu a-Si:C:H oraz a-Si:N:H są bardzo obiecującymi materiałami do tego typu zastosowań.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 128-137
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge
    Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds
    Autorzy:
    Dumiszewska, E.
    Knyps, P.
    Teodorczyk, M.
    Wesołowski, M.
    Strupiński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192120.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    ogniwo słoneczne
    MOCVD
    złącze InGaP/ Ge
    solar cells
    InGaP/Ge junction
    Opis:
    W pracy przedstawiono proces wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych opartych o związki AIII-BV z wykorzystaniem technik osadzania MOCVD. Zaprezentowano także wstępne wyniki pomiarów elektrooptycznych pojedynczego złącza struktury Ge/InGaP:Si wykonanego w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych. Złącze to powstało w wyniku dyfuzji atomów fosforu z warstwy InGaP. Wszystkie prace technologiczne zostały przeprowadzone w ITME.
    This work has been devoted to presenting the process of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on AIII-BV compounds using MOCVD deposition techniques. Moreover, preliminary results of electro-optical measurements performed on a single junction of a Ge/InGaP:Si structure produced in the Institute of Electronic Materials Technology have been introduced. This junction has been created as a result of the diffusion of phosphorus atoms from an InGaP layer. All technological processes have been carried out in ITME.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 3, 3; 10-14
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym
    Silicon epitaxial layers deposited on porous silicon for photovoltaic applications
    Autorzy:
    Lipiński, D.
    Sarnecki, J.
    Brzozowski, A.
    Mazur, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192080.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    warstwa epitaksjalna
    CVD
    krzem porowaty
    ogniwo słoneczne
    epitaxial layer
    porous silicon
    solar cell
    Opis:
    Ustalono warunki wytwarzania warstw o odpowiedniej porowatości zapewniającej osadzanie w procesie epitaksji z fazy gazowej warstw krzemowych o grubości powyżej 50 μm. W zależności od rezystywności płytek krzemowych typu p+ o orientacji <111> oraz <100> określono związek między gęstością prądu trawienia elektrochemicznego, a porowatością wytworzonych warstw porowatych. Otrzymano warstwy porowate z porowatością w zakresie 5 % - 70 %. Ustalono parametry procesu epitaksji i osadzono krzemowe warstwy epitaksjalne o wysokiej perfekcji strukturalnej i zakładanych parametrach elektrycznych.
    The conditions for producing layers with proper porosity that allows epitaxial growth of Si layers with the thickness of about 50 μm have been established. The relationship between the layer porosity, current density and substrate resistivity has been determined. The layers with porosity in the range between 5 % and 70 % have been obtained. The parameters of the CVD process have been established. Epitaxial silicon layers of high structural perfection and required electrical parameters have been obtained, which has been confirmed by the XRD and SR measurements as well as SEM observations.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 28-37
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nowe kompozyty grubowarstwowe o obniżonej temperaturze spiekania przeznaczone na kontakty ogniwa słonecznego
    New thick film composites of lower sintering temperature for ohimic contacts for sollar cells
    Autorzy:
    Młożniak, A.
    Ungier, P.
    Jakubowska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192283.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    technologia grubowarstwowa
    nanoproszek srebra
    ogniwo słoneczne
    thick-film technology
    silver nanopowder
    solar cell
    Opis:
    W pracy przedstawiono nowa generację materiałów grubowarstwowych przeznaczonych do nanoszenia sitodrukiem, w których fazę przewodzącą stanowią proszki srebra o submikronowej wielkości ziaren. Zaletą tych past jest to, że nie zawierają fazy szkliwa, które wspomagało proces spiekania, a jednocześnie pogarszało przewodnictwo elektryczne warstwy. Kolejna zaleta tych past to możliwość spiekania w niższych temperaturach, co zwiększa obszar stosowania tych past w różnych procesach technologicznych.
    New generation of screen printed thick film materials where conducting phase was of submicron silver powder. The main advantage of these pastes compare with the standard ones is that they do not contain glassy phase. This phase helped sintering process, but caused the worse electrical conductivity. Another advantage of this paste is the lower sintering temperature which enables its application in much wider range of technological processes.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 4, 4; 8-13
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of external conditions on parameters of silicon solar cells
    Wpływ warunków zewnętrznych na parametry krzemowych ogniw słonecznych
    Autorzy:
    Swatowska, B.
    Stapiński, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192322.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    krzemowe ogniwo słoneczne
    charakterystyka I-V
    model dwudiodowy
    sprawność ogniwa słonecznego
    silicon solar cell
    I-V characteristic
    two diod model
    efficiency of solar cell
    Opis:
    Praca skupia się na badaniu wpływu zmian temperatury zewnętrznej oraz stopnia zacienienia powierzchni ogniw słonecznych na ich parametry elektryczne. Charakterystyki prądowo-napięciowe I-V ogniw słonecznych na bazie krzemu multikrystalicznego były wyznaczone przy oświetleniu AM 1.5 za pomocą urządzenia sterowanego komputerowo I-V Curve Tracer For Solar Cells Qualification. Poprzez zastosowanie elektrycznego modelu dwudiodowego, pomiary charakterystyk I-V ogniw pozwoliły określić sprawność ogniw oraz ich prąd zwarcia i napięcie obwodu otwartego. Pomiary temperaturowe przeprowadzono w zakresie od 5 do 55 °C, przy stałym i równomiernym oświetleniu całej powierzchni ogniw. Zmienny stopień zacienienia powierzchni ogniw miał bardzo istotny wpływ na ich parametry elektryczne. Obniżenie sprawności ogniw słonecznych wraz z temperaturą oraz stopniem zacienienia jest czynnikiem bardzo istotnym przy optymalizacji warunków pracy systemów fotowoltaicznych.
    The purpose of the work is the investigation of influence of rapid change of temperature and the shadowing of light on silicon solar cells operation. Current-voltage characteristics for multicrystalline silicon solar cells were measured by the use of computer controlled global spectrum sun simulator under an AM 1.5. The measurements of I-V characteristics allow the determination of basic electrical parameters and efficiency using the double exponential relationship from two-diode solar cells model. Temperature measurements were carried out in the temperature range from 5 to 55 °C under constant irradiance. Under changeable area of illumination of solar cells was also observed the variation of their parameters. The rate of decrease of solar cells efficiency with temperature and shadowing area are important to estimate optimal working conditions of PV systems.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 1, 1; 13-16
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies