- Tytuł:
-
Własności linii w w MCz-Si i FZ-Si naświetlanym neutronami
Optical properties of W line for neutron irradiated MCz-Si and FZ-Si - Autorzy:
-
Surma, B.
Wnuk, A. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/192306.pdf
- Data publikacji:
- 2010
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Tematy:
-
defekty radiacyjne
linia W
fotoluminescencja
radiation defects
W line
photoluminescene - Opis:
-
W pracy zbadano własności luminescencyjne linii W w MCz-Si i FZ-Si naświetlanym neutronami dawką 1 × 1015 - 3 × 1016n/cm². Średnia energia termicznej dysocjacji defektu odpowiedzialnego za emisję linii W została określona jako E = 52 ± 5 meV. Emisja przy energii 1.018 eV została zinterpretowana jako rekombinacja elektronu i dziury na defekcie, wówczas gdy jedna z cząstek jest związana z defektem energią ˜ 100 meV, a druga z energią ˜ 52 meV. Ten model zgadza się z proponowanym teoretycznym modelem defektu utworzonego przez trzy międzywęzłowe atomy Si, (I3) zakładającym, że defekt I3 jest defektem donorowo-podobnym o poziomie (0/+) leżącym w odległości 0.1 eV od pasma walencyjnego. Określona z wykresu Arrhenius'a energia procesu gaszenia linii W wynosiła 0.3 eV. Po raz pierwszy zaobserwowano w MCz-Si po wygrzaniu w 550 K emisję przy 1.108 eV związaną z obecnością defektu V6. Emisja ta znika po wygrzaniu w temperaturze, w której atomy tlenu stają się mobilne. Sugeruje się, że brak linii przy 1.108 eV w Cz-Si jest wynikiem oddziaływania/pasywacji kompleksu V6 atomami tlenu.
The photoluminescence (PL) technique was applied to study the W line (1.018 eV) features of both MCz-Si and FZ-Si samples irradiated with a neutron dose ranging from 1 × 1O15 to 3 × 1016 n/cm². The average thermal energy of the dissocation, responsible for the emission of the W line was found to be E = (52+/-5) meV. Therefore, we interpret the emission at 1.018 eV as the recombination of an electron and a hole at the defect site when one of the particles is strongly bound to the defect with the energy near to 100 meV. This value coincides with the possible donor-like level (0/+) close to the valence band edge at Ev+0.1 eV, theoretically predicted for the I3 complex. The quenching energy for the W line estimated from Arrhenius plot proved to be 0.3 eV. The line at 1.108 eV related to the V6 complex was observed in MCz for the first time after annealing at 550 K. It disappeared after annealing at a higher temperature when oxygen atoms became mobile. We suggest the lack of this line in Cz-Si is related to the interaction/passivation of the V6 complex with oxygen atoms. - Źródło:
-
Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 3-4, 3-4; 3-9
0209-0058 - Pojawia się w:
- Materiały Elektroniczne
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł