Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "filter surface" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Viscosity sensor with shear-horizontal acoustic plate mode on BT-cut quartz and surface acoustic wave filter for mode selection
Czujnik lepkości z poprzecznym akustycznym modem płytowym na kwarcu BT i filtrem z akustyczną falą powierzchniową do selekcji modu
Autorzy:
Soluch, W.
Wróbel, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192066.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
quartz
acoustic plate modes
surface acoustic wave
delay line
resonator filter
viscosity sensor
kwarc
akustyczne mody płytowe
akustyczna fala powierzchniowa
linia opóźniająca
filtr rezonatorowy
czujnik lepkości
Opis:
Shear horizontal acoustic plate mode (shaPM) liquid viscosity sensor with the surface acoustic wave (saW) filter for a chosen shaPM selection was developed. a turnover temperature and a quadratic temperature coefficient of frequency of about 0°C and −25 ppb/(°C)2, respectively, were obtained for a delay line on BT-cut quartz (−50.5°YX90°), with gold electrodes. An acoustically coupled resonator filter for a SHAPM selection was designed and fabricatedon the 38°YX cut quartz. With inductive coils of about 0.5 μH connected in series with a 50 Ω load, the measured IL of about 2 dB at a center frequency of about 100.4 MHz was obtained for the filter. For a SHAPM delay line with the filter, insertion loss, turnover temperature, and quadratic temperature coefficient of frequency of about 12 dB, 5°C, and −30 ppb/(°C)2, respectively, were obtained. Insertion loss and frequency changes against product of mass density and viscosity were measured, using water and glycerin solutions. Insertion loss, and frequency changes of about 14 dB, and −18 kHz, respectively, were obtained, in a viscosity range from about 1 mPa.s to 1000 mPa.s.
Opracowano czujnik lepkości cieczy na poprzecznym horyzontalnym akustycznym modzie płytowym (PHAMP) z filtrem na akustycznej fali powierzchniowej (AFP) do selekcji wybranego modu. Dla linii opóźniającej na kwarcu o orientacji BT (−50,5°YX90°) ze złotymi elektrodami uzyskano paraboliczną zależność zmian częstotliwości w funkcji temperatury. Punkt zwrotny paraboli wystąpił dla temperatury około 0°C a współczynnik temperaturowy wyniósł około −25 ppb/(°C)2. Filtr rezonatorowy z AFP zaprojektowano i wykonano na kwarcu o orientacji 38°YX. Z cewkami o indukcyjności około 0,5 μH, połączonymi seryjnie z obciążeniem 50 Ω, uzyskano tłumienność wtrącenia około 2 dB na częstotliwości 100,4 MHz. Dla linii opóźniającej połączonej kaskadowo z filtrem, uzyskano tłumienność wtrącenia około 12 dB, punkt zwrotny paraboli wystąpił w temperaturze 5°C, a współczynnik temperaturowy wyniósł około −30 ppb/(°C)2. Do pomiaru zmian tłumienności wtrącenia i częstotliwości w funkcji iloczynu gęstości masy i lepkości dynamicznej zastosowano wodne roztwory gliceryny. W zakresie lepkości od 1 mPa.s do 1000 mPa.s, uzyskano zmianę tłumienności wtrącenia o 14 dB i częstotliwości o −18 kHz.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 4, 4; 4-7
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Acoustic plate modes in GaN crystal plates cut perpendicularly to crystallographic Z axis
Akustyczne mody płytowe w płytkach z kryształu GaN wyciętych prostopadle do osi krystalograficznej Z
Autorzy:
Sadura, J.
Brzozowski, E.
Łysakowska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192012.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
bulk GaN crystal
surface acoustic wave (SAW)
bulk acoustic wave (BAW)
acoustic plate mode (APM)
interdigital transducer (IDT)
SAW filter
objętościowy kryształ GaN
akustyczna fala powierzchniow (AFP)
akustyczna fala objętościowa (AFO)
akustyczny mod płytowy (AMP)
przetwornik międzypalczasty (PM)
filtr z AFP
Opis:
The chosen parameters acoustic plate modes (APMs) in GaN crystal plates were calculated and measured. It was found that the spectrum of APMs consists of two areas. In the first area, just above the surface acoustic wave (SAW) passband, the insertion loss of APMs is much higher than in the SAW passband. In the second area, the insertion loss of APMs is decreased, reaching a minimum value at a frequency about two times higher than the resonance frequency of SAW. Because the energy of the longitudinal component of mechanical displacement in this mode is concentrated near both planes of the GaN plate, it can be used in APM sensors.
Obliczono i zmierzono wybrane parametry akustycznych modów płytowych (AMP) w płytkach z kryształu GaN. Stwierdzono, że spektrum AMP składa się z dwóch obszarów. W pierwszym obszarze, tuż powyżej pasma akustycznej fali powierzchniowej (AFP) tłumienność wtrąceniowa jest dużo wyższa w porównaniu do tłumienności w paśmie AFP. W drugim obszarze tłumienność wtrąceniowa AMP maleje osiągając wartość minimalną przy częstotliwości około dwa razy większej niż częstotliwość AFP. Ponieważ energia podłużnej składowej przemieszczeń mechanicznych tego modu jest skoncentrowana w pobliżu obydwu powierzchni płytki GaN, może być on wykorzystany w czujnikach z AMP.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 3, 3; 4-6
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies