Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "eutektyk" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn
Investigation of solder-induced strains in laser diodes soldered by indium or eutectic AuSn
Autorzy:
Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Sobczak, G.
Maląg, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192281.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
dioda laserowa
heterostruktura
montaż DL
In
eutektyk AuSn
laser diode
heterostructure
LD mounting
indium
eutectic AuSn
Opis:
Montaż diod laserowych wprowadza naprężenia do warstwy aktywnej chipu laserowego, zmieniając jej parametry elektrooptyczne. Dla ich charakteryzacji w ramach niniejszego opracowania badano charakterystyki mocowo--prądowe, spektralne promieniowania laserowego, nisko-prądowe I-V oraz charakterystyki promieniowania spontanicznego poniżej progu dla samego chipu i po każdym etapie montażu. Diody montowano do chłodnic w próżni i w atmosferze azotu przy użyciu lutowia miękkiego (In), a także przy zastosowaniu lutowia twardego (eutektycznego AuSn). W drugim przypadku chipy lutowano do miedzianej chłodnicy bezpośrednio i z zastosowaniem przekładki diamentowej. Stosowane lutowie AuSn było w postaci folii, jak również w postaci cienkich warstw Au i Sn lub stopu eutektycznego AuSn napylanych na chłodnicę lub przekładkę diamentową. Na każdym etapie montażu w diodach obserwowano różne naprężenia w zależności od zastosowanej metody. Sprawdzono również skuteczności procesów termicznej relaksacji naprężeń w diodach wykonanych poprzez wygrzewanie.
Mounting of laser diodes (LDs) introduces strains into LD's heterostructures, affecting their electro-optical parameters. In this paper, for the strain characterization various device characteristics, such as light-current, low current I-V, spectral characteristics above and below lasing threshold have been investigated, after each step of the mounting process. Diodes have been soldered in vacuum or in N2 atmosphere, using soft (In) and hard solder (eutectic AuSn). In the second case laser chips have been mounted on Cu heat sinks directly or using a diamond heat-spreaders between a chip and Cu heat sink. Various kinds of AuSn solder alloy have been used such as a perform foil or evaporated on the heat sink or the heat-spreader thin films of Sn and Au or sputtered eutectic AuSn layers. At each step of the mounting process LDs featured different strain magnitudes, depending on the mounting method (as mentioned above). Effectiveness of the strains relaxation by LDs after-mounting heating sequence has been investigated as well.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 4, 4; 13-31
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Przegląd samoorganizujących się struktur eutektycznych metal-tlenek dla zastosowań w fotonice
Review on self-organized metal-metal oxide eutectic microstructures for photonics
Autorzy:
Sadecka, K.
Gajc, M.
Pawlak, D. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192002.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
samorganizująca się struktura eutektyczna
eutektyk metal-tlenek
fotonika
self-organized eutectic microstructure photonic material
metal-oxide eutectic
photonic
Opis:
Praca przedstawia przegląd literaturowy dotyczący układów eutektycznych metal-tlenek. Analiza prac różnych autorów pozwoliła wybrać materiały eutektyczne (HfO2-W stabilizowane przez Y2O3 oraz Cr2O3-Mo), które wykazują odpowiednią strukturę do zastosowań w nowoczesnej fotonice (metamateriały, ujemne załamanie światła) oraz których warunki otrzymywania pozwalają na otrzymanie ich za pomocą dostępnych metod krystalizacji kierunkowej. Wybrane systemy eutektyczne mogą być odpowiednie dla zastosowań w fotonice i możliwe do zrealizowania za pomocą urządzeń dostępnych w Laboratorium im. Jana Czochralskiego w ITME
This paper is a review on self-organized metal--metal oxide eutectic microstructures. These kinds of materials are very promising for novel photonics. Based on literature survey two eutectic materials have been proposed as suitable from the structural and manufacturing point of view. The selected materials are: HfO2-W stabilized by Y2O3 and Cr2O3-Mo. Selected eutectic systems can be used in photonics, and can be possibly made with equipment installed in Jan Czochralski Laboratory in the Institute of Electronic Materials Technology.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 3, 3; 3-12
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies