Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Brzozowski, B." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Resonator with transverse surface wave on lithium tantalate crystal for applications in viscosity and temperature sensors
Rezonator z poprzeczną falą powierzchniową na krysztale tantalanu litu do zastosowań w czujnikach lepkości i temperatury cieczy
Autorzy:
Brzozowski, E.
Stańczyk, B.
Przyborowska, K.
Kozłowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192042.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
synchronous resonator
surface transverse wave
lithium tantalate
LiTaO3
viscosity sensor
rezonator synchroniczny
poprzeczna fala powierzchniowa
tantalan litu
czujnik lepkości
Opis:
The purpose of this work was to calculate and measure transverse surface acoustic wave resonators on 36°YX oriented lithium tantalate crystal as well as to measure of viscosity and temperature of liquids. An attenuation coefficient was used to model the leak of acoustic energy from surface into bulk of the crystal. The latest materials constants were used. Velocity, electromechanical coupling coefficient, reflection coefficient, attenuation coefficient under free and metallized surface, anisotropy coefficient were calculated, the first three of which were measured using synchronous resonator. A good agreement between measurements and calculations were obtained. Double-channel resonator was sensitive to viscosity and density multiplication product of liquid deposited on the metallized area between transducers. The temperature coefficient of frequency (TCF) of the temperature channel was measured.
Celem pracy były obliczenia i pomiary parametrów poprzecznej akustycznej fali powierzchniowej w rezonatorze na krysztale tantalanu litu o orientacji 36°YX oraz pomiary lepkości i temperatury cieczy. Odpromieniowanie energii akustycznej od powierzchni do objętości kryształu zamodelowano wprowadzając współczynnik tłumienia fali różny od zera. Przyjęto najnowsze dostępne w literaturze stałe materiałowe tantalanu litu. Obliczono prędkość i współczynnik sprzężenia elektromechanicznego, współczynnik odbicia od pojedynczej elektrody, współczynnik tłumienia przy powierzchni swobodnej i metalizowanej oraz współczynnik anizotropii. Z wykorzystaniem rezonatora synchronicznego wykonano pomiary trzech pierwszych wielkości. Uzyskano dobrą zgodność pomiarów z obliczeniami. Skonstruowano dwukanałowy rezonator czuły na iloczyn lepkości i gęstości cieczy osadzonej na metalizowanej powierzchni międzyprzetwornikowej. Zbadano temperaturowy współczynnik częstotliwości (TWCz) kanału przeznaczonego do pomiaru temperatury.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 3, 3; 17-24
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n+n oraz p+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metodą chemicznego barwienia
Identification of position of the n+n and p+p LH junctions in epitaxial SiC layers by chemical decoration
Autorzy:
Przyborowska, K.
Dobrzański, L.
Możdżonek, M.
Surma, B.
Brzozowski, A.
Łapińska, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192250.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
SiC
grubość warstwy epitaksjalnej
chemiczne barwienie
thickness of epitaxial layer
chemical decoration
Opis:
Opracowano metodę ujawniania obszarów typu n i p epitaksjalnej warstwy SiC metodą chemicznego barwienia. Złącze n+n lub p+p znajduje się pod powierzchnią płytki. Ujawnienie i pomiar położenia złącza wykonuje się na próbce zeszlifowanej pod niewielkim kątem. Przebadano kilka roztworów, spośród nich wybrano jeden dla którego wykonano próby barwienia warstw w różnych warunkach. Ustalono warunki prowadzenia procesu dające jednoznaczny pomiar grubości ujawnionych warstw. Opracowano technicznie prostą i nie wymagającą specjalistycznej aparatury metodę, której wyniki są porównywalne z wynikami otrzymanymi metodami optycznymi.
A method of the chemical decoration of n and p SiC epitaxial layers has been established. Both n+n and p+p junctions are located under the wafer surface. The decoration and measurement of junction depth have been done using samples lapped at a small angle. Several staining solutions have been tested. In consequence, the best has been selected out of them to perform decoration under different circumstances. The processing conditions which enable an unambiguous thickness measurement have been determined. The reported method is simple and does not require specialised equipment. The results of junction depth measurements are consistent with those obtained using optical methods.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 14-17
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies